首页>ZXTN2010G>规格书详情

ZXTN2010G数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

PDF无图
厂商型号

ZXTN2010G

参数属性

ZXTN2010G 封装/外壳为TO-261-4,TO-261AA;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 60V 6A SOT223-3

功能描述

NPN, 60V, 6A, SOT223

封装外壳

TO-261-4,TO-261AA

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

原厂标识
Diodes
数据手册

下载地址下载地址二

更新时间

2025-8-5 14:43:00

人工找货

ZXTN2010G价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

ZXTN2010G规格书详情

描述 Description

Packaged in the SOT223 outline this new low saturation 60V NPN transistor
offers extremely low on state losses making it ideal for use in DC-DC circuits
and various driving and power management functions.

应用 Application

Emergency lighting circuitsMotor driving (including DC fans)Solenoid, relay and actuator driversDC ModulesBacklight Inverters
\t\t\t\t\t\t

\t\t\t\t\t\t


\t\t\t\t\t
\t\t\t\t
\t\t\t




\t\t\t
\t\t\t\t
\t\t\t\tProduct Specifications

技术参数

  • 制造商编号

    :ZXTN2010G

  • 生产厂家

    :Diodes

  • Compliance (Only Automotive supports PPAP)

    :On Request*

  • Product Type

    :NPN

  • IC (A)

    :6 A

  • ICM (A)

    :20 A

  • PD (W)

    :3 W

  • hFE (min)

    :100 Min

  • hFE(@ IC)

    :2 A

  • hFE(Min 2)

    :55

  • hFE(@ IC2)

    :5 A

  • VCE (SAT)Max (mV)

    :70 mV

  • VCE (SAT) (@ IC/IB) (A/m A)

    :1/100

  • VCE (SAT)(Max.2)

    :135 mV

  • VCE (SAT) (@ IC/IB2) (A/mA)

    :2/50

  • fT (MHz)

    :130 MHz

  • RCE(SAT)

    :N/A mΩ

  • Packages

    :SOT223

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
DIODES/美台
1942+
SOT-223
9852
只做原装正品现货或订货!假一赔十!
询价
DIODES/美台
21+
SOT-223
8080
只做原装,质量保证
询价
DIODES/美台
1925+
SOT223
12500
原装现货价格优势可供更多可出样
询价
DIODES
23+
SOT223
63000
原装正品现货
询价
ZETEX
24+
SOT-223
6010
只做原装正品
询价
Diodes(美台)
23+
NA
20094
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
询价
DIODES/美台
21+
SOT-223-4
3170
只做原装,一定有货,不止网上数量,量多可订货!
询价
DIODES/美台
22+
SOT-223
14100
原装正品
询价
DiodesZetex
24+
NA
3000
进口原装正品优势供应
询价
DIODES/美台
20+
SOT-223-4
69052
原装优势主营型号-可开原型号增税票
询价