ZXTN2005Z中文资料NPN, 25V, 5.5A, SOT89数据手册Diodes规格书
| 厂商型号 |
ZXTN2005Z |
| 参数属性 | ZXTN2005Z 封装/外壳为TO-243AA；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 25V 5.5A SOT89-3 |
| 功能描述 | NPN, 25V, 5.5A, SOT89 |
| 封装外壳 | TO-243AA |
| 制造商 | Diodes Diodes Incorporated |
| 中文名称 | 美台半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-26 12:49:00 |
| 人工找货 | ZXTN2005Z价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
ZXTN2005Z规格书详情
描述 Description
Packaged in the SOT89 outline this new low saturation 25V NPN transistor
offers extremely low on state losses making it ideal for use in DC-DC circuits
and various driving and power management functions.
应用 Application
Emergency lighting circuitsMotor driving (including DC fans)Solenoid, relay and actuator driversDC modulesBacklight Inverters
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\t\t\t\tProduct Specifications
简介
ZXTN2005Z属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的ZXTN2005Z晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
：ZXTN2005Z
- 生产厂家
：Diodes
- Compliance(Only Automotive supports PPAP)
：Standard
- Polarity
：NPN
- IC (A)
：5.5
- ICM (A)
：20
- PD (W)
：2.1
- hFE (Min)
：300
- hFE (@ IC) (A)
：0.01
- hFE(Min 2)
：200
- hFE (@ IC2) (A)
：7
- VCE(sat) Max (mV)
：35
- VCE(SAT) (@ IC/IB) (A/mA)
：0.5/10
- VCE(sat) (Max.2) (mV)
：130
- VCE(sat) (@ IC/IB2) (A/mA)
：2/10
- fT (MHz)
：150
- RCE(sat) (mΩ)
：25
- Packages
：SOT89
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES/美台 |
24+ |
NA |
30000 |
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询价 | ||
DIODES/美台 |
2511 |
SOT-89 |
360000 |
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询价 | ||
DIODES/美台 |
23+ |
SOT-89 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 | ||
DIODES/美台 |
23+ |
SOT-89-3 |
8435 |
原装正品现货假一赔十 |
询价 | ||
DIODES/美台 |
24+ |
SOT-89 |
6000 |
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询价 | ||
DIODES/美台 |
24+ |
SOT-89 |
9600 |
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询价 | ||
DIODES/美台 |
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SOT89 |
30000 |
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DIODES/美台 |
20+ |
SMD |
88800 |
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询价 | ||
DIODES/美台 |
23+ |
SOT-89 |
11200 |
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询价 | ||
DIODES/美台 |
23+ |
NA |
6000 |
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询价 |
