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ZXTN2010A中文资料NPN, 60V, 4.5A, E-Line数据手册Diodes规格书

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厂商型号

ZXTN2010A

参数属性

ZXTN2010A 封装/外壳为E-Line-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 60V 4.5A E-LINE

功能描述

NPN, 60V, 4.5A, E-Line
TRANS NPN 60V 4.5A E-LINE

封装外壳

E-Line-3

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

原厂下载下载地址下载地址二

更新时间

2025-9-26 10:25:00

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ZXTN2010A规格书详情

描述 Description

Packaged in the E-line outline this new low saturation 60V NPN transistor offers extremely low on state losses making it ideal for use in DC-DC circuits and various driving and power management functions.

应用 Application

Emergency lighting circuits
\t
\t\tMotor driving (including DC fans)
\t
\t\tSolenoid, relay and actuator drivers
\t
\t\tDC modules
\t
\t\tBacklight inverters


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\t\t\t\tProduct Specifications

简介

ZXTN2010A属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的ZXTN2010A晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :ZXTN2010A

  • 生产厂家

    :Diodes

  • Compliance (Only Automotive supports PPAP)

    :On Request*

  • Product Type

    :NPN

  • IC (A)

    :4.5 A

  • ICM (A)

    :15 A

  • PD (W)

    :1 W

  • hFE (min)

    :100 Min

  • hFE(@ IC)

    :2 A

  • hFE(Min 2)

    :55

  • hFE(@ IC2)

    :5 A

  • VCE (SAT)Max (mV)

    :65 mV

  • VCE (SAT) (@ IC/IB) (A/m A)

    :1/50

  • VCE (SAT)(Max.2)

    :130 mV

  • VCE (SAT) (@ IC/IB2) (A/mA)

    :2/50

  • fT (MHz)

    :130 MHz

  • RCE(SAT)

    :N/A mΩ

  • Packages

    :E-Line

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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