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ZXTN2010ZQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN, 60V, 5A, SOT89 Packaged in the SOT89 outline this new low saturation 60V NPN transistor offers extremely low on state losses making it ideal for use in DC-DC circuits and various driving and power management functions.	Diodes 美台半导体	Diodes
ZXTN2010ZQTA	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-243AA；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 60V 5A SOT89-3 T\u0026R	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXTN2010ZTA	文件：124.807 Kbytes Page：7 Pages	ZXTN2010ZTA - 单晶体管双极, NPN, 80 V, 130 MHz, 1.5 W, 5 A, 200 hFE 文件：124.807 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体 PDF上传者：上海雷卯电子科技有限公司	DIODES
ZXTN2010ZTA	文件：126.24 Kbytes Page：6 Pages	60V NPN LOW SATURATION MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT89 DESCRIPTION Packaged in the SOT89 outline this new low saturation 60V NPN transistor offers extremely low on state losses making it ideal for use in DC-DC circuits and various driving and power management functions. FEATURES • Extremely low equivalent on-resistance; RSAT = 30mV at 6A • 5 amps 文件：126.24 Kbytes 页数：6 Pages	ZETEX	ZETEX
ZXTN2010ZTA	文件：147.06 Kbytes Page：6 Pages	60V NPN LOW SATURATION MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT89 Features • BVCEO > 60V • IC = 5A High Continuous Current • RSAT = 30mΩ for a Low Equivalent On-Resistance • Low Saturation Voltage VCE(SAT) 文件：147.06 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

Compliance(Only Automotive supports PPAP)：
Automotive
Polarity：
NPN
IC (A)：
5
ICM (A)：
20
PD (W)：
2.1
hFE (Min)：
100
hFE (@ IC) (A)：
0.01
hFE(Min 2)：
55
hFE (@ IC2) (A)：
5
VCE(sat) Max (mV)：
30
VCE(SAT) (@ IC/IB) (A/mA)：
0.1/5
VCE(sat) (Max.2) (mV)：
125
VCE(sat) (@ IC/IB2) (A/mA)：
2/50
fT (MHz)：
130
RCE(sat) (mΩ)：
30
Packages：
SOT89

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