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ZXTD2090E6TA中文资料美台半导体数据手册PDF规格书

ZXTD2090E6TA
厂商型号

ZXTD2090E6TA

功能描述

DUAL 50V NPN SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR

文件大小

165.55 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 Diodes Incorporated
企业简称

DIODES美台半导体

中文名称

美台半导体官网

原厂标识
DIODES
数据手册

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更新时间

2025-8-5 12:20:00

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ZXTD2090E6TA规格书详情

特性 Features

• BVCEO > 50V

• IC = 1A High Continuous Current

• High Gain Hold-Up hFE > 200 @ IC = 0.5A

• RSAT = 160mΩ for Low Equivalent On Resistance

• Low Saturation Voltage VCE(SAT) < -270mV @ 1A

• Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)

• Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)

• Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

Applications

• LCD Backlighting Inverter Circuits

• Boost Functions in DC-DC Converters

产品属性

  • 型号:

    ZXTD2090E6TA

  • 功能描述:

    两极晶体管 - BJT Dual 50V NPN Low Sat Switching Tran 160mV

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    PowerFLAT 2 x 2

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
DIODES/美台
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