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ZXTC2063E6TA	文件：613.19 Kbytes Page：8 Pages	40V, SOT23-6, complementary medium power transistors Description Advanced process capability is used to achieve this high performance device. Combining NPN and PNP transistors in the SOT26 package provides a compact solution for the intended applications. Features • NPN + PNP Combination • BVCEO > 40 (-40)V • BVECO > 6 (-3)V • ICM = 9 (-9)A Pe 文件：613.19 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXTC2063E6TA	文件：601.05 Kbytes Page：8 Pages	40V, SOT23-6, complementary medium power transistors Description Advanced process capability has been used to achieve this high performance device. Combining NPN and PNP transistors in the SOT23-6 package provides a compact solution for the intended applications. Features • NPN - PNP combination • Very low saturation voltage • High gain • SOT2 文件：601.05 Kbytes 页数：8 Pages	Zetex	Zetex
ZXTC2063E6TA	文件：520.22 Kbytes Page：8 Pages	40V, SOT23-6, complementary medium power transistors 文件：520.22 Kbytes 页数：8 Pages	Zetex	Zetex
ZXTC2063E6	文件：613.19 Kbytes Page：8 Pages	40V, SOT23-6, complementary medium power transistors Description Advanced process capability is used to achieve this high performance device. Combining NPN and PNP transistors in the SOT26 package provides a compact solution for the intended applications. Features • NPN + PNP Combination • BVCEO > 40 (-40)V • BVECO > 6 (-3)V • ICM = 9 (-9)A Pe 文件：613.19 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXTC2063E6	文件：520.22 Kbytes Page：8 Pages	40V, SOT23-6, complementary medium power transistors 文件：520.22 Kbytes 页数：8 Pages	Zetex	Zetex
ZXTC2063E6	文件：601.05 Kbytes Page：8 Pages	40V, SOT23-6, complementary medium power transistors Description Advanced process capability has been used to achieve this high performance device. Combining NPN and PNP transistors in the SOT23-6 package provides a compact solution for the intended applications. Features • NPN - PNP combination • Very low saturation voltage • High gain • SOT2 文件：601.05 Kbytes 页数：8 Pages	Zetex	Zetex

详细参数

型号：
ZXTC2063E6TA
功能描述：
两极晶体管 - BJT 40V 1A Medium Power TRANSISTOR
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	ZXTC2063E6TA	DIODES/美台	25+	SOT26	20300	DIODES/美台原装特价ZXTC2063E6TA即刻询购立享优惠#长期有货	询价
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