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ZXTD618MCTA	文件：190.02 Kbytes Page：7 Pages	DUAL 20V NPN LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR FeaturesandBenefits •BVCEO>20V •IC=4.5AContinuousCollectorCurrent •LowSaturationVoltage(150mV@1A) •RSAT=47mΩforaLowEquivalentOn-Resistance •hFEspecifiedupto6Aforhighcurrentgainholdup •DualNPNsavingfootprintandcomponentcount •Lowprofile0.8mmhigh	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
618JH	文件：1.05691 Mbytes Page：4 Pages	DCaxialfan	EBMPAPSTebm-papst 依必安派特依必安派特公司	EBMPAPST
618N	文件：379.04 Kbytes Page：3 Pages	DCaxialfans	EBMPAPSTebm-papst 依必安派特依必安派特公司	EBMPAPST
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A618ERU	文件：193.6 Kbytes Page：2 Pages	Single&DualOutput,6WUltra-WideInputRangeDC/DCConverters	MPD MPD (Memory Protection Devices)	MPD

详细参数

型号：
ZXTD618MCTA
功能描述：
两极晶体管 - BJT Dual 20V NPN Low Sat Ic 4.5A 150mV
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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