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ZXT10N15DE6中文资料NPN, 15V, 4A, SOT26数据手册Diodes规格书

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厂商型号

ZXT10N15DE6

参数属性

ZXT10N15DE6 封装/外壳为SOT-23-6;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 15V 4A SOT23-6

功能描述

NPN, 15V, 4A, SOT26
TRANS NPN 15V 4A SOT23-6

封装外壳

SOT-23-6

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-26 14:06:00

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ZXT10N15DE6规格书详情

应用 Application

DC - DC ConvertersPower Management FunctionsPower switchesMotor control
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\t\t\t\tProduct Specifications

简介

ZXT10N15DE6属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的ZXT10N15DE6晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :ZXT10N15DE6

  • 生产厂家

    :Diodes

  • Compliance(Only Automotive supports PPAP)

    :Standard

  • Polarity

    :NPN

  • IC (A)

    :4

  • ICM (A)

    :13

  • PD (W)

    :1.1

  • hFE (Min)

    :300

  • hFE (@ IC) (A)

    :0.2

  • hFE(Min 2)

    :200

  • hFE (@ IC2) (A)

    :3

  • VCE(sat) Max (mV)

    :14

  • VCE(SAT) (@ IC/IB) (A/mA)

    :0.1/10

  • VCE(sat) (Max.2) (mV)

    :260

  • VCE(sat) (@ IC/IB2) (A/mA)

    :4/50

  • fT (MHz)

    :120

  • RCE(sat) (mΩ)

    :50

  • Packages

    :SOT26

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