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ZXT951KQ	文件：441.06 Kbytes Page：7 Pages	60V PNP LOW SATURATION MEDIUM POWER TRANSISTOR Description This Bipolar Junction Transistor (BJT) is designed to meet the stringent requirements of Automotive Applications. Features • BVCEO > -60V • RSAT = 53mΩ Typical • Continuous Collector Current IC = -6A • Up to -15A Peak Current • Low Equivalent On Resistance • Low Saturation Volt 文件：441.06 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXT951KQTC	文件：441.06 Kbytes Page：7 Pages	60V PNP LOW SATURATION MEDIUM POWER TRANSISTOR Description This Bipolar Junction Transistor (BJT) is designed to meet the stringent requirements of Automotive Applications. Features • BVCEO > -60V • RSAT = 53mΩ Typical • Continuous Collector Current IC = -6A • Up to -15A Peak Current • Low Equivalent On Resistance • Low Saturation Volt 文件：441.06 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXT951KQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	PNP, 65V, 6A, TO252 This Bipolar Junction Transistor (BJT) is designed to meet the stringent requirements of Automotive Applications. - BVCEO > -60V- RSAT = 53mΩ Typical- Continuous Collector Current IC = -6A- Up to -15A Peak Current- Low Equivalent On Resistance- Low Saturation Voltage- High Gain Holds Up (100 Min @ -2A)- Lead-Free Finish; RoHS compliant (Note 1 & 2)- Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)- Qualified ;	Diodes 美台半导体	Diodes
ZXT951KQTC	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：带盒（TB）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 60V 6A TO252	PAM 龙鼎微	PAM

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
Yes
Product Type：
PNP
IC：
6 A
ICM：
15 A
PD：
3.2 W
hFE：
100 Min
hFE (@ IC)：
2 A
hFE (Min 2)：
50
hFE (@ IC2)：
10 A
VCE (SAT) Max：
90 mV
VCE (SAT) (@ IC/IB) (A/m A)：
1/100
VCE (SAT) (Max.2)：
400 mV
VCE (SAT) (@ IC/IB2) (A/m A)：
2/200
fT：
120 MHz
RCE(SAT)：
N/A mΩ
Packages：
TO252 (DPAK)

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