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2N60	文件：2.21513 Mbytes Page：8 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET Features ●RDS(ON)	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
2N60	文件：60.51 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFET Features ●RDS(ON)=3.8Ω@VGS=10V. ●Lowgatecharge(typical9.0nC). ●LowCrss(typical5.0pF). ●Fastswitchingcapability. ●Avalancheenergyspecified ●Improveddv/dtcapability.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2N60	文件：2.6376 Mbytes Page：9 Pages	N-channelpowerMOStube	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
2N60A	文件：760.98 Kbytes Page：5 Pages	2A600VN-channelenhancedfieldeffecttransistor	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
2N60AF	文件：371.2 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelPowerMOSFET DESCRIPTION TheNell2N60isathree-terminalsilicon devicewithcurrentconductioncapability of2A,fastswitchingspeed,lowon-state resistance,breakdownvoltageratingof600V, andmax.thresholdvoltageof4volts. Theyaredesignedforuseinapplicationssuch asswitchedmodep	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼尔半导体尼尔半导体股份有限公司	NELLSEMI
2N60B	文件：647.12 Kbytes Page：9 Pages	600VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2N60-C	文件：274.36 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2N60D	文件：2.21513 Mbytes Page：8 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET Features ●RDS(ON)	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
2N60-E	文件：304.09 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2N60F	文件：2.21513 Mbytes Page：8 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET Features ●RDS(ON)	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE

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