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YJG50N03A	文件：583.95 Kbytes Page：6 Pages	丝印：YJG50N03A；Package：PDFN5060-8L；N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：583.95 Kbytes 页数：6 Pages	YANGJIE 扬杰电子	YANGJIE
YJG50N03A	文件：300 bytes Page：1 Pages	中低压MOSFET(12V-400V)	YJ 益嘉源	YJ
YJQ50N03B	文件：558.08 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：558.08 Kbytes 页数：6 Pages	YANGJIE 扬杰电子	YANGJIE
PHB50N03	文件：108.76 Kbytes Page：11 Pages	N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode logic level field-effect power transistor in a plastic envelope using ’trench’ technology. FEATURES • ’Trench’ technology • Very low on-state resistance • Fast switching • High thermal cycling performance • Low thermal resistance • Logic level 文件：108.76 Kbytes 页数：11 Pages	PHI PHI	PHI
PHB50N03T	文件：63.66 Kbytes Page：7 Pages	TrenchMOS transistor Standard level FET GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode standard level field-effect power transistor in a plastic envelope suitable for surface mounting using ’trench’ technology. The device features very low on-state resistance and has integral zener diodes giving ESD protection up to 2kV. It is intended 文件：63.66 Kbytes 页数：7 Pages	PHI PHI	PHI
PHD50N03LT	文件：108.76 Kbytes Page：11 Pages	N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode logic level field-effect power transistor in a plastic envelope using ’trench’ technology. FEATURES • ’Trench’ technology • Very low on-state resistance • Fast switching • High thermal cycling performance • Low thermal resistance • Logic level 文件：108.76 Kbytes 页数：11 Pages	PHI PHI	PHI

技术参数

Status：
Active
ESD：
No
Configuration：
Single
Type：
N
VDSS (V)：
30
ID (A)：
50
PD (W)：
45
VGS (V)：
±20
Tj (℃）：
150
Vth_Typ(V)：
1.5
Rdson@VGS10V_TYP(mΩ)：
3.9
Rdson@VGS10V_Max(mΩ)：
4.7
Rdson@VGS4.5V_TYP(mΩ)：
5
Rdson@VGS4.5V_Max(mΩ)：
6
Ciss_Typ(pF)：
2504
Coss_Typ(pF)：
323
Crss_Typ(pF)：
283
Qg_Typ(nC)：
54
Grade：
Industrial

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更多YJG50N03A供应商更新时间2026-9-26 11:06:00

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