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YJG50N03A | 丝印:YJG50N03A;Package:PDFN5060-8L;N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件:583.95 Kbytes 页数:6 Pages | YANGJIE 扬杰电子 | YANGJIE | |
YJG50N03A | 中低压MOSFET(12V-400V) | YJ 益嘉源 | YJ | |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件:558.08 Kbytes 页数:6 Pages | YANGJIE 扬杰电子 | YANGJIE | ||
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件:959.96 Kbytes 页数:8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | VBSEMI | ||
50 Amps, 30 Volts N-CHANNEL MOSFET 文件:61.49 Kbytes 页数:3 Pages | KIA 可易亚半导体 | KIA | ||
N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® power MOSFET • Package with low thermal resistance • 100 Rg and UIS tested 文件:1.82303 Mbytes 页数:10 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | VBSEMI |
技术参数
- Status:
Active
- ESD:
No
- Configuration:
Single
- Type:
N
- VDSS (V):
30
- ID (A):
50
- PD (W):
45
- VGS (V):
±20
- Tj (℃):
150
- Vth_Typ(V):
1.5
- Rdson@VGS10V_TYP(mΩ):
3.9
- Rdson@VGS10V_Max(mΩ):
4.7
- Rdson@VGS4.5V_TYP(mΩ):
5
- Rdson@VGS4.5V_Max(mΩ):
6
- Ciss_Typ(pF):
2504
- Coss_Typ(pF):
323
- Crss_Typ(pF):
283
- Qg_Typ(nC):
54
- Grade:
Industrial
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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N/A |
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YANGJIE |
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24+ |
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