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PHB50N03T中文资料飞利浦数据手册PDF规格书

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厂商型号

PHB50N03T

功能描述

TrenchMOS transistor Standard level FET

文件大小

63.66 Kbytes

页面数量

7

生产厂商

PHI

中文名称

飞利浦

数据手册

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更新时间

2025-11-29 16:00:00

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PHB50N03T规格书详情

GENERAL DESCRIPTION

N-channel enhancement mode standard level field-effect power transistor in a plastic envelope suitable for surface mounting using ’trench’ technology. The device features very low on-state resistance and has integral zener diodes giving ESD protection up to 2kV. It is intended for use in DC-DC converters and general purpose switching applications.

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