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YJL2301C	文件：525.1 Kbytes Page：6 Pages	丝印：S1；Package：SOT-23；P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：525.1 Kbytes 页数：6 Pages	YANGJIE 扬杰电子	YANGJIE
YJL2301C	文件：300 bytes Page：1 Pages	中低压MOSFET(12V-400V)	YJ 益嘉源	YJ
YJL2301CQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	汽车电子MOSFET	YJ 益嘉源	YJ
YJL2301D	文件：599.02 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：599.02 Kbytes 页数：6 Pages	YANGJIE 扬杰电子	YANGJIE
YJL2301F	文件：584.85 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：584.85 Kbytes 页数：6 Pages	YANGJIE 扬杰电子	YANGJIE
YJL2301G	文件：623.75 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：623.75 Kbytes 页数：6 Pages	YANGJIE 扬杰电子	YANGJIE

技术参数

Status：
Active
ESD：
No
Configuration：
Single
Type：
P
VDSS (V)：
-20
ID (A)：
-3.4
PD (W)：
1
VGS (V)：
±10
Tj (℃）：
150
Vth_Typ(V)：
-0.62
Rdson@VGS4.5V_TYP(mΩ)：
42
Rdson@VGS4.5V_Max(mΩ)：
51
Rdson@VGS2.5V_TYP(mΩ)：
55
Rdson@VGS2.5V_Max(mΩ)：
67
Rdson@VGS1.8V_TYP(mΩ)：
86
Rdson@VGS1.8V_Max(mΩ)：
100
Ciss_Typ(pF)：
438
Coss_Typ(pF)：
76
Crss_Typ(pF)：
62
Qg_Typ(nC)：
5.41
Grade：
Industrial

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更多YJL2301C供应商更新时间2026-1-26 15:05:00

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