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YJQ10N02A

丝印:Q10N02;Package:DFN2020-6L;N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件:512.27 Kbytes 页数:6 Pages

YANGJIE

扬杰电子

YJQ10N02A

中低压MOSFET(12V-400V)

YJ

益嘉源

YJS10N02A

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件:668.79 Kbytes 页数:6 Pages

YANGJIE

扬杰电子

MMSF10N02Z

Power MOSFET

文件:242.08 Kbytes 页数:10 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MMSF10N02Z

SINGLE TMOS POWER MOSFET 10 AMPERES 20 VOLTS

Medium Power Surface Mount Products IMOS Single N-Channel with Monolithic Zener ESD Protected Gate EZFETs are an advanced series of power MOSFETs which utilize Motorola’s High Cell Density HDTMOS process and contain monolithic back–to–back zener diodes. These zener diodes provide protection aga

文件:184.69 Kbytes 页数:10 Pages

MOTOROLA

摩托罗拉

SDD10N02

10 Ampere Heatsink Dual Tandem Polarity General Purpose Rectifier Diodes

文件:406.19 Kbytes 页数:2 Pages

THINKISEMI

思祁半导体

技术参数

  • Status:

    Active

  • ESD:

    No

  • Configuration:

    Single

  • Type:

    N

  • VDSS (V):

    20

  • ID (A):

    13

  • PD (W):

    2.2

  • VGS (V):

    ±10

  • Tj (℃):

    150

  • Vth_Typ(V):

    0.62

  • Rdson@VGS4.5V_TYP(mΩ):

    7.8

  • Rdson@VGS4.5V_Max(mΩ):

    9

  • Rdson@VGS2.5V_TYP(mΩ):

    9.5

  • Rdson@VGS2.5V_Max(mΩ):

    12

  • Rdson@VGS1.8V_TYP(mΩ):

    12

  • Rdson@VGS1.8V_Max(mΩ):

    18.5

  • Ciss_Typ(pF):

    888

  • Coss_Typ(pF):

    133

  • Crss_Typ(pF):

    117

  • Qg_Typ(nC):

    11.05

  • Grade:

    Industrial

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更多YJQ10N02A供应商 更新时间2026-2-3 15:01:00