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EMB35N04A	文件：214.46 Kbytes Page：6 Pages	N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMB35N04CS	文件：211.56 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS40V RDSON(MAX.)28mΩ ID12A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMB35N04J	文件：175 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS40V RDSON(MAX.)35mΩ ID5A Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMB35N04V	文件：197.41 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS40V RDSON(MAX.)28mΩ ID12A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
HRP35N04K	文件：1.16271 Mbytes Page：8 Pages	SuperiorAvalancheRuggedTechnology	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
NJD35N04G	文件：46.91 Kbytes Page：4 Pages	NPNDarlingtonPowerTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NJD35N04G	文件：96.82 Kbytes Page：4 Pages	NPNDarlingtonPowerTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NJD35N04G	文件：128.4 Kbytes Page：4 Pages	NPNDarlingtonPowerTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NJVNJD35N04G	文件：128.4 Kbytes Page：4 Pages	NPNDarlingtonPowerTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NP35N04YLG	文件：215.51 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR Description TheNP35N04YLGisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Lowon-stateresistance ⎯RDS(on)=9.7mΩMAX.(VGS=10V,ID=17.5A) ⎯RDS(on)=15mΩMAX.(VGS=5V,ID=17.5A) •Logicleveldrivetype •Gateto	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP35N04YLG	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP35N04YUG	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP35N04YUG	文件：231 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR Description TheNP35N04YUGisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Lowon-stateresistance ⎯RDS(on)=10mΩMAX.(VGS=10V,ID=17.5A) •LowCiss:Ciss=1900pFTYP.(VDS=25V,VGS=0V) •Designedforautomotiveappli	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
YJQ35N04A	文件：569.03 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司	YANGJIE

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
浙江永芯科技有限公司	YJQ35N04AQ	YANGJIE	24+	DFN3333-8L	50000	原厂直销全新原装正品现货欢迎选购	询价
深圳市华宇金电子有限公司	YJQ3622A	YANGJIE(扬杰)	24+	DFN-8(3.3x3.3)	690000	支持实单/只做原装	询价
艾睿国际（香港）有限公司	YJQ3622A-F1-1100HF	YANGJIE(扬杰)	2112+	DFN3.3x3.3	105000	5000个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,	询价
深圳宝隆芯业科技有限公司	YJQ3622A-F1-1100HF	Yangzhou Yangjie Electronic Te	23+	SMD	67000	原装正品实单可谈库存现货	询价
深圳市德力诚信科技有限公司	YJQ40G10A	YANGJIE	23+	NA	187	现货!就到京北通宇商城	询价
深圳市中利达电子科技有限公司	YJQ40P03A	扬兴	23+	N/A	2000	深圳通	询价
深圳市惊羽科技有限公司	YJQ40P03A	YU	24+25+/26+27+	DFN-贴片	18800	一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库	询价
深圳市力拓辉电子有限公司	YJQ4666A	扬杰科技	21+		50	全新原装鄙视假货15118075546	询价
深圳市弘扬芯城科技有限公司	YJQ50P03A	YANGJIE(扬杰)	23+	PDFN8(3.3x3.3)	6000		询价

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