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NJD35N04G | NPN Darlington Power Transistor | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ONSEMI | |
NJD35N04G | NPN Darlington Power Transistor | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ONSEMI | |
NJD35N04G | NPN Darlington Power Transistor | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ONSEMI | |
NJD35N04G | 包装：散装 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 描述：TRANS NPN DARL 350V 4A DPAK | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ONSEMI | |
NPN Darlington Power Transistor | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ONSEMI | ||
N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor | EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司 | EXCELLIANCE | ||
N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS40V RDSON(MAX.)28mΩ ID12A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree | EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司 | EXCELLIANCE | ||
N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS40V RDSON(MAX.)35mΩ ID5A Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree | EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司 | EXCELLIANCE | ||
N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS40V RDSON(MAX.)28mΩ ID12A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree | EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司 | EXCELLIANCE | ||
SuperiorAvalancheRuggedTechnology | SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd. | SEMIHOW | ||
NPNDarlingtonPowerTransistor | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ONSEMI | ||
MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR Description TheNP35N04YLGisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Lowon-stateresistance ⎯RDS(on)=9.7mΩMAX.(VGS=10V,ID=17.5A) ⎯RDS(on)=15mΩMAX.(VGS=5V,ID=17.5A) •Logicleveldrivetype •Gateto | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | RENESAS | ||
ProductScoutAutomotive | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | RENESAS | ||
ProductScoutAutomotive | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | RENESAS | ||
MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR Description TheNP35N04YUGisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Lowon-stateresistance ⎯RDS(on)=10mΩMAX.(VGS=10V,ID=17.5A) •LowCiss:Ciss=1900pFTYP.(VDS=25V,VGS=0V) •Designedforautomotiveappli | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | RENESAS | ||
N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor | YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司 | YANGJIE |
产品属性
- 产品编号：
NJD35N04G
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
NPN - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.5V @ 20mA，2A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
50µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
2000 @ 2A，2V
- 频率 - 跃迁：
90MHz
- 工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
- 供应商器件封装：
DPAK
- 描述：
TRANS NPN DARL 350V 4A DPAK
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi |
23+ |
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片 |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
询价 | ||
onsemi(安森美) |
23+ |
TO-252 |
959 |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
询价 | ||
ON/安森美 |
22+ |
DPAK |
20000 |
只做原装进口 免费送样!! |
询价 | ||
ON |
08+(pbfree) |
DPAK4LEADSingleG |
8866 |
询价 | |||
ON |
1415+ |
TO-252 |
28500 |
全新原装正品,优势热卖 |
询价 | ||
ONSEMICONDU |
16+ |
原封装 |
1580 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
ON |
23+ |
DPAK4LEADSin |
7299 |
全新原装 |
询价 | ||
ONS |
2017+ |
DPAK |
26589 |
深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票 |
询价 | ||
ON |
1725+ |
? |
7500 |
只做原装进口,假一罚十 |
询价 | ||
2020+ |
5000 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
询价 |
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