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NJL0281DG	文件：67.61 Kbytes Page：6 Pages	Complementary ThermalTrak Transistors 文件：67.61 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NJL0281DG	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-264-5；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 260V 15A TO264	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NJW0281	文件：215.89 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·High Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO=250V(Min) ·Good Linearity of hFE ·Complement to Type NJW0302 ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Designed for high fidelity audio amplifier and other linear ap 文件：215.89 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
NJW0281A	文件：3.41587 Mbytes Page：4 Pages	180 Watt Silicon Epitaxial Planar NPN Type Power Transistor DESCRIPTION ·With TO-3PB-SQ pkg ·Complement to type NJW0302A APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Recommended for 150W high fidelity audio frequency amplifier output stage 文件：3.41587 Mbytes 页数：4 Pages	THINKISEMI 思祁半导体	THINKISEMI
NJW0281G	文件：80.35 Kbytes Page：5 Pages	Complementary NPN-PNP Power Bipolar Transistors 文件：80.35 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

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更多NJL0281DG供应商更新时间2025-12-24 10:03:00