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NJW0281	文件：215.89 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·High Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO=250V(Min) ·Good Linearity of hFE ·Complement to Type NJW0302 ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Designed for high fidelity audio amplifier and other linear ap 文件：215.89 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
NJW0281A	文件：3.41587 Mbytes Page：4 Pages	180 Watt Silicon Epitaxial Planar NPN Type Power Transistor DESCRIPTION ·With TO-3PB-SQ pkg ·Complement to type NJW0302A APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Recommended for 150W high fidelity audio frequency amplifier output stage 文件：3.41587 Mbytes 页数：4 Pages	THINKISEMI 思祁半导体	THINKISEMI
NJW0281G	文件：906.58 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN transistor in a TO-3P Plastic Package. 文件：906.58 Kbytes 页数：6 Pages	FOSHAN 蓝箭电子	FOSHAN
NJW0281G	文件：1.44164 Mbytes Page：4 Pages	150 Watt Silicon Epitaxial Planar NPN Power Transistor 文件：1.44164 Mbytes 页数：4 Pages	THINKISEMI 思祁半导体	THINKISEMI
NJW0281G	文件：80.35 Kbytes Page：5 Pages	Complementary NPN-PNP Power Bipolar Transistors 文件：80.35 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NJW0281G	文件：108.28 Kbytes Page：5 Pages	Complementary NPN-PNP Power Bipolar Transistors 文件：108.28 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NJW0281G	文件：151.95 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor 文件：151.95 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
NJW0281G_13	文件：108.28 Kbytes Page：5 Pages	Complementary NPN-PNP Power Bipolar Transistors 文件：108.28 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NJW0281GD	文件：281.95 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor 文件：281.95 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
NJW0281G	文件：300 bytes Page：1 Pages	音频三极管	BlueRocket 蓝箭电子	BlueRocket

技术参数

VCBO/(V)：
300
VCEO/(V)：
250
IC/(A)：
16
PC/(W)：
180
hFE(min）：
60
hFE（max）：
150
VCE（sat）(V)：
1.4
VCE@IC/(A)：
8
VCE@IB/(A)：
0.8
Package：
TO-3PN

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	NJW0281	ON(安森美)	24+	标准封装	7498	全新原装正品/价格优惠/质量保障	询价
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更多NJW0281供应商更新时间2025-12-24 9:38:00

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