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YJQD30P02A

丝印:Q30P02;Package:DFN3333;P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件:560.33 Kbytes 页数:6 Pages

YANGJIE

扬杰电子

YJQD30P02A

NP MOSFET(12-300V)

YJ

益嘉源

HM30P02K

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:1.11922 Mbytes 页数:6 Pages

HMSEMI

华之美半导体

SF30P02C

Glass Passivated Super Fast Recovery Rectifier

文件:679.5 Kbytes 页数:2 Pages

YENYO

元耀科技

TF30P02

P -CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

● General Description The TF30P02 combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package toprovide extremely low RDS(ON) . ● Features Advance high cell density Trench technology Low RDS(ON) to minimize conductive loss Low Gate Charge for fast switching Low Thermal resist

文件:2.20014 Mbytes 页数:5 Pages

TUOFENG

拓锋半导体

技术参数

  • Status:

    Active

  • ESD:

    No

  • Configuration:

    Dual

  • Type:

    P

  • VDSS (V):

    -20

  • ID (A):

    -30

  • PD (W):

    21

  • VGS (V):

    ±10

  • Tj (℃):

    150

  • Vth_Typ(V):

    -0.62

  • Rdson@VGS4.5V_TYP(mΩ):

    11

  • Rdson@VGS4.5V_Max(mΩ):

    19

  • Rdson@VGS2.5V_TYP(mΩ):

    14

  • Rdson@VGS2.5V_Max(mΩ):

    22

  • Rdson@VGS1.8V_TYP(mΩ):

    20

  • Rdson@VGS1.8V_Max(mΩ):

    30

  • Ciss_Typ(pF):

    2992

  • Coss_Typ(pF):

    330

  • Crss_Typ(pF):

    272

  • Qg_Typ(nC):

    72.8

  • Grade:

    Standard

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