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YJB70N10A	文件：679.88 Kbytes Page：6 Pages	丝印：YJB70N10A；Package：TO-263；N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：679.88 Kbytes 页数：6 Pages	YANGJIE 扬杰电子	YANGJIE
YJB70N10A	文件：300 bytes Page：1 Pages	中低压Mosfet	YJ 益嘉源	YJ
YJP70N10A	文件：697.38 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：697.38 Kbytes 页数：6 Pages	YANGJIE 扬杰电子	YANGJIE
70N10	文件：49.14 Kbytes Page：2 Pages	Fast Switching Speed 文件：49.14 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
CEB70N10L	文件：533.29 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 100V, 69A, RDS(ON) = 11mW @VGS = 10V Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-220 & TO-263 package. RoHS compliant. RDS(ON) = 15mW @VGS = 4.5V 文件：533.29 Kbytes 页数：5 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEP70N10L	文件：533.29 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 100V, 69A, RDS(ON) = 11mW @VGS = 10V Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-220 & TO-263 package. RoHS compliant. RDS(ON) = 15mW @VGS = 4.5V 文件：533.29 Kbytes 页数：5 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS

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