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YJG20N06A	文件：594.74 Kbytes Page：6 Pages	丝印：YJG20N06A；Package：DFN5060；N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：594.74 Kbytes 页数：6 Pages	YANGJIE 扬杰电子	YANGJIE
YJG20N06A	文件：300 bytes Page：1 Pages	中低压MOSFET(12V-400V)	YJ 益嘉源	YJ
20N06	文件：897.38 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：897.38 Kbytes 页数：6 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
20N06	文件：67.37 Kbytes Page：2 Pages	Fast Switching 文件：67.37 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
20N06	文件：193.72 Kbytes Page：2 Pages	20A mps,60 Volts N-CHANNEL MOSFET 文件：193.72 Kbytes 页数：2 Pages	CHONGQING 平伟实业	CHONGQING

技术参数

Status：
Active
ESD：
No
Configuration：
Single
Type：
N
VDSS (V)：
60
ID (A)：
20
PD (W)：
21
VGS (V)：
±20
Tj (℃）：
150
Vth_Typ(V)：
1.5
Rdson@VGS10V_TYP(mΩ)：
34
Rdson@VGS10V_Max(mΩ)：
43
Rdson@VGS4.5V_TYP(mΩ)：
36
Rdson@VGS4.5V_Max(mΩ)：
47
Ciss_Typ(pF)：
1018
Coss_Typ(pF)：
70
Crss_Typ(pF)：
62
Qg_Typ(nC)：
26
Grade：
Industrial

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