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YJG20N06A	文件：594.74 Kbytes Page：6 Pages	Marking：YJG20N06A；Package：DFN5060；N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司	YANGJIE
20N06	文件：897.38 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
20N06	文件：67.37 Kbytes Page：2 Pages	FastSwitching	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
20N06	文件：193.72 Kbytes Page：2 Pages	20Amps,60VoltsN-CHANNELMOSFET	CHONGQINGChongqing Pingwei Enterprise co.,Ltd 重庆平伟实业重庆平伟实业股份有限公司	CHONGQING
20N06	文件：1.2281 Mbytes Page：6 Pages	60VN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Features VDS=60V,ID=20A RDS(ON),23mΩ(Typ)@VGS=10V RDS(ON),29mΩ(Typ)@VGS=4.5V AdvancedTrenchTechnology ExcellentRDS(ON)andLowGateCharge Leadfreeproductisacquired	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
20N06	文件：1.3482 Mbytes Page：6 Pages	60VN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET GeneralDescription The20N06usesadvancedtrenchtechnologyanddesignto provideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.Itcanbe usedinawidevarietyofapplications. Features VDS=60V,ID=20A RDS(ON),23mΩ(Typ)@VGS=10V RDS(ON),29mΩ(Typ)@VGS=4.5V AdvancedTrenchTechnology	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
20N06	文件：681.75 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description The20N06usesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
20N06B	文件：193.72 Kbytes Page：2 Pages	20Amps,60VoltsN-CHANNELMOSFET	CHONGQINGChongqing Pingwei Enterprise co.,Ltd 重庆平伟实业重庆平伟实业股份有限公司	CHONGQING
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