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YJJ09N03A	文件：300 bytes Page：1 Pages	中低压MOSFET(12V-400V)	YJ 益嘉源	YJ
09N03	文件：142.69 Kbytes Page：4 Pages	25V N-Channel Enhancement Mode MOSFET FEATURES • RDS(ON), VGS@10V,IDS@30A=9mΩ • RDS(ON), VGS@4.5V,IDS@30A=12mΩ • Advanced trench process technology • High Density Cell Design For Uitra Low On-Resistance • Specially Designed for DC/DC Converters and Motor Drivers • Fully Characterized Avalanche Voltage and Current 文件：142.69 Kbytes 页数：4 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
09N03L	文件：1.77212 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.77212 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
09N03LA	文件：1.73664 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.73664 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

技术参数

Status：
Active
ESD：
No
Configuration：
Single
Type：
N
VDSS (V)：
30
ID (A)：
9
PD (W)：
1.25
VGS (V)：
±20
Tj (℃）：
150
Vth_Typ(V)：
1.5
Rdson@VGS10V_TYP(mΩ)：
9
Rdson@VGS10V_Max(mΩ)：
15
Rdson@VGS4.5V_TYP(mΩ)：
12
Rdson@VGS4.5V_Max(mΩ)：
18
Ciss_Typ(pF)：
1015
Coss_Typ(pF)：
201
Crss_Typ(pF)：
164
Qg_Typ(nC)：
23.6
Grade：
Industrial

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