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09N03

25V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

FEATURES • RDS(ON), VGS@10V,IDS@30A=9mΩ • RDS(ON), VGS@4.5V,IDS@30A=12mΩ • Advanced trench process technology • High Density Cell Design For Uitra Low On-Resistance • Specially Designed for DC/DC Converters and Motor Drivers • Fully Characterized Avalanche Voltage and Current

文件:142.69 Kbytes 页数:4 Pages

PANJIT

強茂

09N03

25V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Panjit

強茂

09N03S

25V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

FEATURES • RDS(ON), VGS@10V,IDS@30A=9mΩ • RDS(ON), VGS@4.5V,IDS@30A=12mΩ • Advanced trench process technology • High Density Cell Design For Uitra Low On-Resistance • Specially Designed for DC/DC Converters and Motor Drivers • Fully Characterized Avalanche Voltage and Current

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PANJIT

強茂

09N03L

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:1.77212 Mbytes 页数:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

09N03LA

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:1.73664 Mbytes 页数:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

09N03LA

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:1.77236 Mbytes 页数:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

09N03LA_V01

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:1.77236 Mbytes 页数:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

09N03LB

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:1.73665 Mbytes 页数:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

09N03LB

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:1.51027 Mbytes 页数:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

09N03LB_V01

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:1.51027 Mbytes 页数:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

详细参数

  • 型号:

    09N03

  • 制造商:

    PANJIT

  • 制造商全称:

    Pan Jit International Inc.

  • 功能描述:

    25V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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更多09N03供应商 更新时间2025-11-30 13:58:00