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YJD60N02A	文件：645.07 Kbytes Page：6 Pages	丝印：YJD60N02A；Package：SOT-252；N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：645.07 Kbytes 页数：6 Pages	YANGJIE 扬杰电子	YANGJIE
YJD60N02A	文件：300 bytes Page：1 Pages	中低压MOSFET(12V-400V)	YJ 益嘉源	YJ
60N02	文件：1.01792 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.01792 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
DTU60N02	文件：1.56954 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.56954 Mbytes 页数：5 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
HM60N02K	文件：498.89 Kbytes Page：6 Pages	High density cell design for ultra low Rdson 文件：498.89 Kbytes 页数：6 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI

技术参数

Status：
Active
ESD：
No
Configuration：
Single
Type：
N
VDSS (V)：
20
ID (A)：
60
PD (W)：
29
VGS (V)：
±10
Tj (℃）：
150
Vth_Typ(V)：
0.62
Rdson@VGS4.5V_TYP(mΩ)：
4.5
Rdson@VGS4.5V_Max(mΩ)：
6
Rdson@VGS2.5V_TYP(mΩ)：
5.5
Rdson@VGS2.5V_Max(mΩ)：
8.8
Rdson@VGS1.8V_TYP(mΩ)：
8
Rdson@VGS1.8V_Max(mΩ)：
14
Ciss_Typ(pF)：
2250
Coss_Typ(pF)：
334
Crss_Typ(pF)：
271
Qg_Typ(nC)：
27.9
Grade：
Standard

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更多YJD60N02A供应商更新时间2025-12-9 15:01:00

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