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YJD60N02A	文件：645.07 Kbytes Page：6 Pages	丝印：YJD60N02A；Package：SOT-252；N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司	YANGJIE
YJD60N02A	文件：300 bytes Page：1 Pages	中低压MOSFET(12V-400V);	YJ 扬杰	YJ
60N02	文件：1.01792 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
DTU60N02	文件：1.56954 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
HM60N02K	文件：498.89 Kbytes Page：6 Pages	HighdensitycelldesignforultralowRdson	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
JMT60N02A	文件：761.117 Kbytes Page：6 Pages		JJWJieJie Microelectronics Co., Ltd. 捷捷微江苏捷捷微电子股份有限公司 PDF上传者：深圳市溢航科技有限公司	JJW
LMAK60N02	文件：1.79843 Mbytes Page：5 Pages	20VN-ChannelEnhancementModeMOSFET	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
NTD60N02R	文件：299.19 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.45Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NTD60N02R	文件：85.11 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET62A,25V,N?묬hannel,DPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTD60N02R	文件：81.55 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET62A,24V,N-Channel,DPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

技术参数

Status：
Active
ESD：
No
Configuration：
Single
Type：
N
VDSS (V)：
20
ID (A)：
60
PD (W)：
29
VGS (V)：
±10
Tj (℃）：
150
Vth_Typ(V)：
0.62
Rdson@VGS4.5V_TYP(mΩ)：
4.5
Rdson@VGS4.5V_Max(mΩ)：
6
Rdson@VGS2.5V_TYP(mΩ)：
5.5
Rdson@VGS2.5V_Max(mΩ)：
8.8
Rdson@VGS1.8V_TYP(mΩ)：
8
Rdson@VGS1.8V_Max(mΩ)：
14
Ciss_Typ(pF)：
2250
Coss_Typ(pF)：
334
Crss_Typ(pF)：
271
Qg_Typ(nC)：
27.9
Grade：
Standard

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