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NTD60N02R	文件：299.19 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.45Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NTD60N02R	文件：85.11 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET62A,25V,N?묬hannel,DPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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NTD60N02RG	文件：1.01774 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NTD60N02RG	文件：81.55 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET62A,24V,N-Channel,DPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SUM60N02	文件：158.73 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel20-V(D-S)175째CMOSFET	TFUNKVishay Telefunken 威世威世（VISHAY）集团	TFUNK

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