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LMG80G06A	文件：1.10499 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancement Mode Power MOSFET 文件：1.10499 Mbytes 页数：5 Pages	LEIDITECH 雷卯电子	LEIDITECH
YJD80G06A	文件：578.29 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：578.29 Kbytes 页数：6 Pages	YANGJIE 扬杰电子	YANGJIE
YJG80G06A	文件：479.4 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：479.4 Kbytes 页数：6 Pages	YANGJIE 扬杰电子	YANGJIE

技术参数

Status：
Active
ESD：
No
Configuration：
Single
Type：
N
VDSS (V)：
60
ID (A)：
80
PD (W)：
96
VGS (V)：
±20
Tj (℃）：
150
Vth_Typ(V)：
1.7
Rdson@VGS10V_TYP(mΩ)：
3
Rdson@VGS10V_Max(mΩ)：
4.2
Rdson@VGS4.5V_TYP(mΩ)：
3.9
Rdson@VGS4.5V_Max(mΩ)：
5.2
Ciss_Typ(pF)：
4000
Coss_Typ(pF)：
780
Crss_Typ(pF)：
26
Qg_Typ(nC)：
66
Grade：
Industrial

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