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TIP107TU

PNP Epitaxial Silicon Darlington Transistor

Monolithic Construction With Built In Base Emitter Shunt Resistors • High DC Current Gain : hFE=1000 @ VCE= -4V, IC= -3A (Min.) • Collector-Emitter Sustaining Voltage • Low Collector-Emitter Saturation Voltage • Industrial Use • Complementary to TIP100/101/102

文件:550.61 Kbytes 页数:5 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

TIP107TU

Package:TO-220-3;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP DARL 100V 8A TO220-3

ONSEMI

安森美半导体

TLN107A

INFRARED LED GaAS INFRARED EMITTER

文件:185.84 Kbytes 页数:4 Pages

TOSHIBA

东芝

TM107

Bollard

文件:26.21 Kbytes 页数:1 Pages

LUMINIS

TMCRBOJ107KTR

Low ESR Tantalum Chip Capacitors

文件:189.42 Kbytes 页数:3 Pages

HITACHIHitachi Semiconductor

日立日立公司

产品属性

  • 产品编号:

    TIP107TU

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    2.5V @ 80mA,8A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    50µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    1000 @ 3A,4V

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220-3

  • 描述:

    TRANS PNP DARL 100V 8A TO220-3

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更多TIP107T供应商 更新时间2026-3-14 11:22:00