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TIP117	文件：1.42068 Mbytes Page：3 Pages	丝印：TIP117；Package：TO-220-3L；TO-220-3L Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES High DC Current Gain Low Collector-Emitter Saturation Voltage Complementary to TIP112 文件：1.42068 Mbytes 页数：3 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
TIP117	文件：50 Kbytes Page：4 Pages	Monolithic Construction With Built In Base- Emitter Shunt Resistors Monolithic Construction With Built In Base-Emitter Shunt Resistors • High DC Current Gain : hFE=1000 @ VCE= -4V, IC= -1A (Min.) • Low Collector-Emitter Saturation Voltage • Industrial Use • Complementary to TIP110/111/112 文件：50 Kbytes 页数：4 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
TIP117	文件：269.51 Kbytes Page：6 Pages	Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors Designed for general−purpose amplifier and low−speed switching applications. Features • High DC Current Gain − hFE = 2500 (Typ) @ IC = 1.0 Adc • Collector−Emitter Sustaining Voltage − @ 30 mAdc VCEO(sus) = 60 Vdc (Min) 文件：269.51 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
TIP117	文件：153.15 Kbytes Page：3 Pages	PLASTIC MEDIUM-POWER COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS 文件：153.15 Kbytes 页数：3 Pages	boca 博卡	boca
TIP117	文件：271.16 Kbytes Page：3 Pages	PLASTIC POWER TRANSISTORS Intended for use in Medium Power Linear and Switching Applications 文件：271.16 Kbytes 页数：3 Pages	CDIL	CDIL
TIP117	文件：97.94 Kbytes Page：2 Pages	Silicon Power darlington Complementary transistors 文件：97.94 Kbytes 页数：2 Pages	Central	Central
TIP117	文件：169.39 Kbytes Page：1 Pages	PNP Epitaxial Silicon Darlington Transistors Features • High DC Current Gain : hFE=1000 @ VCE=4.0V, IC=1.0A(Min.) • Low Collector-Emitter Saturation Voltage • Complementary to TIP110/111/112 • Lead Free Finish/RoHS Compliant (Note1) (P Suffix designat RoHS Compliant. See ordering information) • Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating 文件：169.39 Kbytes 页数：1 Pages	MCC	MCC
TIP117	文件：75.23 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (MONOLITHIC CONSTRUCTION WITH BUILT IN BASE-EMITTER SHUNT RESISTORS INDUSTRIAL USE.) MONOLITHIC CONSTRUCTION WITH BUILT IN BASE-EMITTER SHUNT RESISTORS INDUSTRIAL USE. FEATURES • High DC Current Gain. : hFE=1000(Min.), ＠VCE=-4V, IC=-1A. • Low Collector-Emitter Saturation Voltage. • Complementary to TIP112. 文件：75.23 Kbytes 页数：2 Pages	KEC KEC(Korea Electronics)	KEC
TIP117	文件：146.97 Kbytes Page：3 Pages	POWER TRANSISTORS(2.0A,60-100V,50W) 文件：146.97 Kbytes 页数：3 Pages	MOSPEC 统懋	MOSPEC
TIP117	文件：269.51 Kbytes Page：6 Pages	DARLINGTON 2 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 文件：269.51 Kbytes 页数：6 Pages	Motorola 摩托罗拉	Motorola

晶体管资料

型号：
TIP117
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+Darl+Di
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
2A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD265B,BD702,BDW24C,BDW54C,BDW64C,
最大耗散功率：
50W
放大倍数：
β>1000
图片代号：
B-10
vtest：
100
htest：
999900
atest：
2
wtest：
50

产品属性

产品编号：
TIP117
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
2.5V @ 8mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）：
2mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 1A，4V
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220
描述：
TRANS PNP DARL 100V 2A TO220

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