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TIP117分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

TIP117

参数属性

TIP117 封装/外壳为TO-220-3;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP DARL 100V 2A TO220

功能描述

EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (MONOLITHIC CONSTRUCTION WITH BUILT IN BASE-EMITTER SHUNT RESISTORS INDUSTRIAL USE.)

封装外壳

TO-220-3

文件大小

75.23 Kbytes

页面数量

2

生产厂商

KEC KEC(Korea Electronics)

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更新时间

2025-11-28 9:11:00

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TIP117规格书详情

MONOLITHIC CONSTRUCTION WITH BUILT IN

BASE-EMITTER SHUNT RESISTORS INDUSTRIAL USE.

FEATURES

• High DC Current Gain.

: hFE=1000(Min.), @VCE=-4V, IC=-1A.

• Low Collector-Emitter Saturation Voltage.

• Complementary to TIP112.

产品属性

  • 产品编号:

    TIP117

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    PNP - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    2.5V @ 8mA,2A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    2mA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    1000 @ 1A,4V

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220

  • 描述:

    TRANS PNP DARL 100V 2A TO220

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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