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TIP132	文件：141.22 Kbytes Page：6 Pages	NPN SILICON POWER DARLINGTONS NPNSILICONPOWERDARLINGTONS ●DesignedforComplementaryUsewithTIP135,TIP136andTIP137 ●70Wat25°CCaseTemperature ●8AContinuousCollectorCurrent ●MinimumhFEof1000at4V,4A	POINN Power Innovations Ltd	POINN
TIP132	文件：72.69 Kbytes Page：2 Pages	PLASTIC POWER TRANSISTORS PLASTICPOWERTRANSISTORS IntendedforuseinLinearandSwitchingApplications	TELTokyo Electron Ltd. 东电电子东京电子有限公司	TEL
TIP132	文件：93.39 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Darlington Power Transistors DESCRIPTION •WithTO-220Cpackage •DARLINGTON •Collectorsaturationvoltage •ComplementtotypeTIP135/136/137 APPLICATIONS •Designedforgeneral-purposeamplifierandlowspeedswitchingapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
TIP132	文件：90.06 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS DESCRIPTION TheTIP130,TIP131andTIP132aresiliconepitaxial-baseNPNpowertransistorsinmonolithicDarlingtonconfiguration,mountedinJedecTO-220plasticpackage.Theyareintentedforuseinpowerlinearandswitchingapplications. ThecomplementaryPNPtypesareTIP135,TIP136and	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
TIP132	文件：100.65 Kbytes Page：3 Pages	SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS NPNepitaxial-basetransistorsinamonolithicDalringtoncircuitandhousedinaTO-220enveloppe. Theyareintentedforuseinpowerlinearandswitchingapplications. ThecomplementaryPNPtypesareTIP135/136/137 CompliancetoRoHS.	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
TIP132	文件：332.98 Kbytes Page：3 Pages	PLASTIC POWER TRANSISTORS PLASTICPOWERTRANSISTORS IntendedforuseinLinearandSwitchingApplications	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
TIP132	文件：90.06 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS DESCRIPTION TheTIP130,TIP131andTIP132aresiliconepitaxial-baseNPNpowertransistorsinmonolithicDarlingtonconfiguration,mountedinJedecTO-220plasticpackage.Theyareintentedforuseinpowerlinearandswitchingapplications. ThecomplementaryPNPtypesareTIP135,TIP136and	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
TIP132	文件：150.99 Kbytes Page：3 Pages	POWER TRANSISTORS(8.0A,60-100V,70W) PLASTICMEDIUM-POWERCOMPLEMENTARYSILICONTRANSISTORS 8.0AMPEREDARLINGTONCOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS60-100VOLTS70WATTS	MOSPECMospec Semiconductor 统懋统懋半导体股份有限公司	MOSPEC
TIP132	文件：36.25 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS DESCRIPTION TheTIP130,TIP131andTIP132aresiliconepitaxial-baseNPNpowertransistorsinmonolithicDarlingtonconfiguration,mountedinJedecTO-220plasticpackage.Theyareintentedforuseinpowerlinearandswitchingapplications. ThecomplementaryPNPtypesareTIP135,TIP136andTIP	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
TIP132	文件：61.1 Kbytes Page：4 Pages	Darlington Complementary Silicon Power Transistors DarlingtonComplementarySiliconPowerTransistors Designedforgeneral−purposeamplifierandlow−speedswitchingapplications. Features •HighDCCurrentGain− hFE=2500(Typ)@IC =4.0Adc •Collector−EmitterSustainingVoltage−@30mAdc VCEO(sus)=80Vdc(Min)−	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

产品属性

产品编号：
TIP132
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
4V @ 30mA，6A
电流 - 集电极截止（最大值）：
500µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 4A，4V
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220
描述：
TRANS NPN DARL 100V 8A TO220

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