TIP132分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
TIP132 |
| 参数属性 | TIP132 封装/外壳为TO-220-3；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN DARL 100V 8A TO220 |
| 功能描述 | Darlington Complementary Silicon Power Transistors |
| 封装外壳 | TO-220-3 |
| 文件大小 |
61.1 Kbytes |
| 页面数量 |
4 页 |
| 生产厂商 | ONSEMI |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-12 14:48:00 |
| 人工找货 | TIP132价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
TIP132规格书详情
Darlington Complementary Silicon Power Transistors
Designed for general−purpose amplifier and low−speed switching applications.
特性 Features
• High DC Current Gain −
hFE = 2500 (Typ) @ IC
= 4.0 Adc
• Collector−Emitter Sustaining Voltage − @ 30 mAdc
VCEO(sus) = 80 Vdc (Min) − TIP131
= 100 Vdc (Min) − TIP132, TIP137
• Low Collector−Emitter Saturation Voltage −
VCE(sat) = 2.0 Vdc (Max) @ IC = 4.0 Adc
= 3.0 Vdc (Max) @ IC = 6.0 Adc
• Monolithic Construction with Built−In Base−Emitter Shunt Resistors
• Pb−Free Packages are Available*
产品属性
- 产品编号：
TIP132
- 制造商：
STMicroelectronics
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
NPN - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
4V @ 30mA，6A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
500µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 4A，4V
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3
- 供应商器件封装：
TO-220
- 描述：
TRANS NPN DARL 100V 8A TO220
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
TO-220 |
8852 |
一级代理 原装正品假一罚十 价格优势 实单带接受价 |
询价 | |||
ST/FSC |
24+ |
NA/ |
53250 |
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ST(意法半导体) |
24+ |
TO-220 |
942 |
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询价 | ||
ST(意法半导体) |
24+ |
TO-220AB |
18000 |
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ST/意法半导体 |
24+ |
TO-220-3 |
16960 |
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ST/意法半导体 |
21+ |
TO-220-3 |
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ST |
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ST |
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ST |
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T0220-3 |
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