TIP131分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
TIP131 |
| 参数属性 | TIP131 封装/外壳为TO-220-3；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN DARL 80V 8A TO220 |
| 功能描述 | Darlington Complementary Silicon Power Transistors |
| 封装外壳 | TO-220-3 |
| 文件大小 |
61.1 Kbytes |
| 页面数量 |
4 页 |
| 生产厂商 | ONSEMI |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-14 16:10:00 |
| 人工找货 | TIP131价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
TIP131规格书详情
TIP131属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由安森美半导体制造生产的TIP131晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
Darlington Complementary Silicon Power Transistors
Designed for general−purpose amplifier and low−speed switching applications.
特性 Features
• High DC Current Gain −
hFE = 2500 (Typ) @ IC
= 4.0 Adc
• Collector−Emitter Sustaining Voltage − @ 30 mAdc
VCEO(sus) = 80 Vdc (Min) − TIP131
= 100 Vdc (Min) − TIP132, TIP137
• Low Collector−Emitter Saturation Voltage −
VCE(sat) = 2.0 Vdc (Max) @ IC = 4.0 Adc
= 3.0 Vdc (Max) @ IC = 6.0 Adc
• Monolithic Construction with Built−In Base−Emitter Shunt Resistors
• Pb−Free Packages are Available*
产品属性
更多- 产品编号：
TIP131
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
NPN - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
3V @ 30mA，6A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
500µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 4A，4V
- 工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3
- 供应商器件封装：
TO-220
- 描述：
TRANS NPN DARL 80V 8A TO220
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
22+ |
TO-220 |
10036 |
进口原装 |
询价 | ||
24+ |
TO-220 |
10000 |
全新 |
询价 | |||
ST |
17+ |
TO-220 |
6200 |
询价 | |||
ST |
2447 |
TO-220 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 | ||
Central Semiconductor Corp |
2022+ |
TO-220 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
STMicroelectronics |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应 |
询价 | ||
ST/意法 |
25+ |
TO220 |
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ST |
22+ |
TO-220 |
6000 |
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询价 | ||
ST |
24+ |
TO-220 |
6868 |
原装现货,可开13%税票 |
询价 |
