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TIP131G分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

TIP131G
厂商型号

TIP131G

参数属性

TIP131G 封装/外壳为TO-220-3;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN DARL 80V 8A TO220

功能描述

Darlington Complementary Silicon Power Transistors
TRANS NPN DARL 80V 8A TO220

封装外壳

TO-220-3

文件大小

61.1 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-3 11:13:00

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TIP131G规格书详情

TIP131G属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由安森美半导体公司制造生产的TIP131G晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

Darlington Complementary Silicon Power Transistors

Designed for general−purpose amplifier and low−speed switching applications.

特性 Features

• High DC Current Gain −

hFE = 2500 (Typ) @ IC

= 4.0 Adc

• Collector−Emitter Sustaining Voltage − @ 30 mAdc

VCEO(sus) = 80 Vdc (Min) − TIP131

= 100 Vdc (Min) − TIP132, TIP137

• Low Collector−Emitter Saturation Voltage −

VCE(sat) = 2.0 Vdc (Max) @ IC = 4.0 Adc

= 3.0 Vdc (Max) @ IC = 6.0 Adc

• Monolithic Construction with Built−In Base−Emitter Shunt Resistors

• Pb−Free Packages are Available*

产品属性

更多
  • 产品编号:

    TIP131G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    3V @ 30mA,6A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    500µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    1000 @ 4A,4V

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 80V 8A TO220

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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