| 零件编号 | 下载 订购 | 功能描述/丝印 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
TIP112 | POWER TRANSISTORS(2.0A,60-100V,50W)
| MOSPECMospec Semiconductor 统懋统懋半导体股份有限公司 | MOSPEC | |
TIP112 | DARLINGTON 2 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
| MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司 | Motorola | |
TIP112 | NPN SILICON POWER DARLINGTONS NPNSILICONPOWERDARLINGTONS ●DesignedforComplementaryUsewith TIP115,TIP116andTIP117 ●50Wat25°CCaseTemperature ●4AContinuousCollectorCurrent ●MinimumhFEof500at4V,2A | POINN Power Innovations Ltd | POINN | |
TIP112 | COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS DESCRIPTION TheTIP110andTIP112aresiliconEpitaxial-BaseNPNtransistorsinmonolithicDarlingtonconfigurationmountedinJedecTO-220plasticpackage.Theyareintentedforuseinmediumpowerlinearandswitchingapplications. ThecomplementaryPNPtypesareTIP115andTIP117. ■STMicroe | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团 | STMICROELECTRONICS | |
TIP112 | PLASTIC MEDIUM-POWER COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS
| bocaBoca Semiconductor Corporation 博卡博卡半导体公司 | boca | |
TIP112 | Monolithic Construction With Built In Base- Emitter Shunt Resistors MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors •ComplementarytoTIP115/116/117 •HighDCCurrentGain:hFE=1000@VCE=4V,IC=1A(Min.) •LowCollector-EmitterSaturationVoltage •IndustrialUse | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 | Fairchild | |
TIP112 | EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (MONOLITHIC CONSTRUCTION WITH BUILT IN BASE-EMITTER SHUNT RESISTORS INDUSTRIAL USE.) MONOLITHICCONSTRUCTIONWITHBUILTIN BASE-EMITTERSHUNTRESISTORSINDUSTRIALUSE. FEATURES •HighDCCurrentGain. :hFE=1000(Min.),ᷤVCE=4V,IC=1A. •LowCollector-EmitterSaturationVoltage. •ComplementarytoTIP117. | KECKEC CORPORATION KEC株式会社 | KEC | |
TIP112 | NPN EPITAXIAL SILICON DARLINGTON TRANSISTOR DESCRIPTION TheUTCTIP112isdesignedforsuchapplicationsas:DC/DCconverterssupplylineswitching,batterycharger,LCDbacklighting,peripheraldrivers,Driverinlowsupplyvoltageapplications(e.g.lampsandLEDs)andinductiveloaddriver(e.g.relays,buzzersandmotors). FEATURES * | UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司 | UTC | |
TIP112 | PLASTIC POWER TRANSISTORS PLASTICPOWERTRANSISTORS IntendedforuseinMediumPowerLinearandSwitchingApplications TO-220PlasticPackage | TEL TRANSYS Electronics Limited | TEL | |
TIP112 | TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN DARLINGTON TRANSISTOR Description Designedforuseingeneralpurposeamplifierandlow-speedswitchingapplications. | DCCOM Dc Components | DCCOM |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-N+Darl+Di
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_功率放大 （L
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
100V
- 最大电流允许值：
4A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
BD265B,BD701,BDW23C,BDW53C,BDW63C,
- 最大耗散功率：
50W
- 放大倍数：
β>1000
- 图片代号：
B-10
- vtest：
100
- htest：
999900
- atest：
4
- wtest：
50
产品属性
- 产品编号：
TIP112
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
管件
- 晶体管类型：
NPN - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
2.5V @ 8mA，2A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
2mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 1A，4V
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3
- 供应商器件封装：
TO-220-3
- 描述：
TRANS NPN DARL 100V 2A TO220-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法半导体) |
24+ |
TO-220 |
942 |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
TO-220 |
2000 |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
询价 | ||
SAMSUNG/三星 |
24+ |
TO-220 |
5000 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
询价 | ||
ST/意法 |
21+19+ |
TO-220 |
8279 |
只做原装正品 |
询价 | ||
ST(意法) |
2450 |
TO-220 |
99996 |
ST原厂原装正品一手货源可全线定货 |
询价 | ||
SMG |
06+ |
原厂原装 |
13451 |
只做全新原装真实现货供应 |
询价 | ||
ST |
23+ |
TO220 |
9526 |
询价 | |||
STM |
24+/25+ |
TO-220AB |
400 |
原装正品现货库存价优 |
询价 | ||
24+ |
TO-220 |
10000 |
全新 |
询价 | |||
ST/进口原 |
17+ |
TO-220 |
6200 |
询价 |
