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TIP2955G

Complementary Silicon Power Transistors

15 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 60 VOLTS, 90 WATTS • DC Current Gain − hFE = 20-70 @ IC= 4.0 Adc • Collector−Emitter Saturation Voltage − VCE(sat) = 1.1 Vdc (Max) @ IC= 4.0 Adc • Excellent Safe Operating Area • These are Pb−Free Devices*

文件:114.97 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

TIP2955G

Package:TO-247-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 60V 15A TO247-3

ONSEMI

安森美半导体

TIP2955HVF

TO-3P Fully Isolated Plastic Package Transistor CDIL

TO-3P Fully Isolated Plastic Package Transistor CDIL

文件:89.12 Kbytes 页数:2 Pages

CDIL

TIP2955T

isc Silicon PNP Power Transistor

文件:151.17 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

TLP2955

Photocouplers GaA-As Infrared LED and Photo IC

The Toshiba TLP2955 consists of a GaAℓAs light-emitting diode coupled with a high-gain, high-speed photo detector. It is housed in the DIP8 package. The detector has a totem-pole output stage with current sourcing and sinking capabilities. The TLP2955 has an internal Faraday shield that provides a

文件:236.95 Kbytes 页数:11 Pages

TOSHIBA

东芝

产品属性

  • 产品编号:

    TIP2955G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    管件

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    3V @ 3.3A,10A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    700µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    20 @ 4A,4V

  • 频率 - 跃迁:

    2.5MHz

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247-3

  • 描述:

    TRANS PNP 60V 15A TO247-3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
onsemi(安森美)
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更多TIP2955G供应商 更新时间2025-10-4 8:11:00