| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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10年
留言
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STTO-220-3 |
8750 |
24+ |
只做原装/假一赔十/安心咨询 |
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STN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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ST(意法半导体)直插三极管 |
7987000 |
25+ |
进口原装现货18930689907微信同步 |
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15年
留言
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STTO-220 |
27000 |
24+ |
原装现正品可看现货 |
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7年
留言
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ST(意法)N/A |
12421 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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5年
留言
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FAIRCHILD25+ |
15258 |
TO-220 |
原装现货库存QQ:373621633 3616872778 |
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14年
留言
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200 |
25+ |
公司现货库存 |
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4年
留言
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FSCTO-220 |
8500 |
24+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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13年
留言
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ST/意法半导体TO-220-3 |
4650 |
25+ |
绝对原装公司现货 |
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11年
留言
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STto220 |
9485 |
2450+ |
只做原厂原装正品终端客户免费申请样品 |
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7年
留言
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ST(意法)N/A |
12421 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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16年
留言
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ST/意法to220 |
53200 |
2023+ |
正品,原装现货 |
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11年
留言
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MICROCHIP/微芯NA |
20000 |
25+ |
原装 |
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13年
留言
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ST/意法TO220 |
9865 |
23+/24+ |
主推型号,原装正品,终端BOM表可配单,可开13点税 |
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18年
留言
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ST/意法TO-220 |
2500 |
20+ |
只做原装真实库存13714450367 |
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5年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220 |
147 |
20+ |
原装现货 价格优势 |
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13年
留言
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ST/意法TO-220 |
85192 |
22+23+ |
代理假一罚十全新原装现货可送货 |
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2年
留言
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STM |
20000 |
21+/22+ |
TO-220-3 |
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3年
留言
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ST |
30000 |
22+ |
原装现货,可追溯原厂渠道 |
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7年
留言
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Slkor/萨科微TO-220 |
50000 |
24+ |
Slkor/萨科微一级代理,价格优势 |
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TIP32C图片
TIP32C价格
TIP32C价格:¥0.8009品牌:STMICROELECTRONICS
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TIP32C资讯
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TIP32C中文资料Alldatasheet PDF
更多TIP32C功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
TIP32C-BP功能描述:两极晶体管 - BJT PNP -100V -3A 40W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
TIP32CG功能描述:两极晶体管 - BJT 3A 100V 40W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
TIP32C-S功能描述:两极晶体管 - BJT 100V 3A PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
TIP32CTSTU功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Epitaxial Sil Short Leads RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
TIP32CTU功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Epitaxial Silicon Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
TIP32CTU_F129制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR
产品属性
- 产品编号:
TIP32C
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
散装
- 晶体管类型:
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
1.2V @ 375mA,3A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
300µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
10 @ 3A,4V
- 频率 - 跃迁:
3MHz
- 工作温度:
-65°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3
- 供应商器件封装:
TO-220
- 描述:
TRANS PNP 100V 3A TO220
晶体管资料
- 型号:
- 别名:
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家:
- 制作材料:
Si-PNP
- 性质:
低频或音频放大 (LF)_功率放大 (L)
- 封装形式:
直插封装
- 极限工作电压:
100V
- 最大电流允许值:
3A
- 最大工作频率:
<1MHZ或未知
- 引脚数:
3
- 可代换的型号:
- 最大耗散功率:
40W
- 放大倍数:
- 图片代号:
B-10
- vtest:
100
- htest:
999900
- atest:
3
- wtest:
40



























