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TIM0910-30L	文件：270.28 Kbytes Page：6 Pages	MICROWAVE POWER GaAs FET FEATURES ･BROADBANDINTERNALLYMATCHEDFET ･HIGHPOWER P1dB=45.0dBmat9.5GHzto10.5GHz ･HIGHGAIN G1dB=7.0dBat10.5GHzto10.5GHz ･LOWINTERMODULATIONDISTORTION IM3=-25dBc(Min.)atPout=38dBm(SingleCarrierLevel) ･HERMETICALLYSEALEDPACKAGE	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA

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TIM0910-30L

文件：270.28 Kbytes

Page：6 Pages

MICROWAVE POWER GaAs FET

FEATURES ･BROADBANDINTERNALLYMATCHEDFET ･HIGHPOWER P1dB=45.0dBmat9.5GHzto10.5GHz ･HIGHGAIN G1dB=7.0dBat10.5GHzto10.5GHz ･LOWINTERMODULATIONDISTORTION IM3=-25dBc(Min.)atPout=38dBm(SingleCarrierLevel) ･HERMETICALLYSEALEDPACKAGE

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

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