MICROWAVE POWER GaAs FET

FEATURES ･BROAD BAND INTERNALLY MATCHED FET ･HIGH POWER P1dB= 45.0dBm at 9.5GHz to 10.5GHz ･HIGH GAIN G1dB= 7.0dB at 10.5GHz to 10.5GHz ･LOW INTERMODULATION DISTORTION IM3= -25dBc (Min.) at Pout= 38dBm (Single Carrier Level) ･HERMETICALLY SEALED PACKAGE

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TOSHIBA

东芝

TO-59

TOSHIBA

东芝

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SOP8

AT

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TO-220

ON

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T0220-3

ST

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