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TIM0910-30L	文件：270.28 Kbytes Page：6 Pages	MICROWAVE POWER GaAs FET FEATURES ･BROAD BAND INTERNALLY MATCHED FET ･HIGH POWER P1dB= 45.0dBm at 9.5GHz to 10.5GHz ･HIGH GAIN G1dB= 7.0dB at 10.5GHz to 10.5GHz ･LOW INTERMODULATION DISTORTION IM3= -25dBc (Min.) at Pout= 38dBm (Single Carrier Level) ･HERMETICALLY SEALED PACKAGE 文件：270.28 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TIM7785-35SL	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-59	TOSHIBA 东芝上传：深圳市赛芯源科技有限公司	TOSHIBA
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更多TIM0910-30L供应商更新时间2025-12-10 16:01:00

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