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TIM1414-8L	文件：184.3 Kbytes Page：4 Pages	MICROWAVE POWER GaAs FET FEATURES ■LOWINTERMODULATIONDISTORTION IM3=-45dBcatPout=28.0dBm SingleCarrierLevel ■HIGHPOWERP1dB=39.5dBmat14.0GHzto14.5GHz ■HIGHGAING1dB=5.0dBat14.0GHzto14.5GHz ■BROADBANDINTERNALLYMATCHEDFET ■HERMETICALLYSEALEDPACKAGE	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
EIA1414-8P	文件：46.51 Kbytes Page：1 Pages	14.0-14.5GHz,8WInternallyMatchedPowerFET	Excelics Excelics	Excelics
EIC1414-8	文件：85.58 Kbytes Page：1 Pages	14.0-14.5GHz8-WattInternallyMatchedPowerFET	Excelics Excelics	Excelics
FLM1414-8F	文件：295.69 Kbytes Page：4 Pages	InternallyMatchedPowerGaAsFET	EUDYNAEudyna Devices Inc Eudyna Devices Inc	EUDYNA
NEZ1414-8E	文件：82.69 Kbytes Page：12 Pages	8WX,Ku-BANDPOWERGaAsMESFET DESCRIPTION TheNEZ1011-8EandNEZ1414-8EarepowerGaAsMESFETswhichprovidehighgain,highefficiencyandhighoutputinX,Ku-band.Theinternalinputandoutputmatchingenablesguaranteedperformancetobeachievedwithonlya50Ωexternalcircuit.Toreducethermalresistancethedevic	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
NEZ1414-8E	文件：165.74 Kbytes Page：6 Pages	GaAsMESFET DESCRIPTION TheNEZ1414-8EispowerGaAsFETwhichprovideshigh gain,highefficiencyandhighoutputpowerinKu-band. Theinternalinputandoutputmatchingenablesguaranteed performancetobeachievedwithonlya50Wexternal circuit. Toreducethermalresistance,thedevicehasaPHS	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
TIM1414-8	文件：184.3 Kbytes Page：4 Pages	MICROWAVEPOWERGaAsFET FEATURES ■LOWINTERMODULATIONDISTORTION IM3=-45dBcatPout=28.0dBm SingleCarrierLevel ■HIGHPOWERP1dB=39.5dBmat14.0GHzto14.5GHz ■HIGHGAING1dB=5.0dBat14.0GHzto14.5GHz ■BROADBANDINTERNALLYMATCHEDFET ■HERMETICALLYSEALEDPACKAGE	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA

详细参数

型号：
TIM1414-8L
制造商：
Toshiba America Electronic Components
功能描述：
TRANSISTOR, GAAS FET INTERNALLY MATCHED,14GHZ,60W - Trays

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更多TIM1414-8L供应商更新时间2024-5-16 16:04:00

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