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TIM1414-8	文件：184.3 Kbytes Page：4 Pages	MICROWAVE POWER GaAs FET FEATURES ■ LOW INTERMODULATION DISTORTION IM3=-45 dBc at Pout= 28.0dBm Single Carrier Level ■ HIGH POWER P1dB=39.5 dBm at 14.0 GHz to 14.5 GHz ■ HIGH GAIN G1dB=5.0 dB at 14.0 GHz to 14.5 GHz ■ BROAD BAND INTERNALLY MATCHED FET ■ HERMETICALLY SEALED PACKAGE 文件：184.3 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TIM1414-8	文件：300 bytes Page：1 Pages	MICROWAVE POWER GaAs FET	Toshiba 东芝	Toshiba
TIM1414-8L	文件：184.3 Kbytes Page：4 Pages	MICROWAVE POWER GaAs FET FEATURES ■ LOW INTERMODULATION DISTORTION IM3=-45 dBc at Pout= 28.0dBm Single Carrier Level ■ HIGH POWER P1dB=39.5 dBm at 14.0 GHz to 14.5 GHz ■ HIGH GAIN G1dB=5.0 dB at 14.0 GHz to 14.5 GHz ■ BROAD BAND INTERNALLY MATCHED FET ■ HERMETICALLY SEALED PACKAGE 文件：184.3 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TIM1414-8-252	文件：164.34 Kbytes Page：4 Pages	HIGH POWER P1dB=39.0 dBm at 13.75 GHz to 14.5 GHz 文件：164.34 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TIM1414-8-252	文件：300 bytes Page：1 Pages	HIGH POWER P1dB=39.0 dBm at 13.75 GHz to 14.5 GHz	Toshiba 东芝	Toshiba

更多TIM1414-8供应商更新时间2022-6-12 10:12:00