MICROWAVE POWER GaAs FET

FEATURES ■ HIGH POWER P1dB=42.0dBm at 13.75GHz to 14.5GHz ■ BROAD BAND INTERNALLY MATCHED FET ■ HIGH GAIN G1dB=6.0dB at 13.75GHz to 14.5GHz ■ HERMETICALLY SEALED PACKAGE ■ LOW INTERMODULATION DISTORTION IM3(Min.)=−25dBc at Po=36dBm Single Carrier Level

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TOSHIBA

东芝

MICROWAVE POWER GaAs FET

Toshiba

东芝

TO-59

TOSHIBA

东芝

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SOP8

AT

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TO-220

ON

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