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TIM1414-18L-252	文件：43.17 Kbytes Page：4 Pages	MICROWAVE POWER GaAs FET FEATURES ■HIGHPOWER P1dB=42.0dBmat13.75GHzto14.5GHz ■BROADBANDINTERNALLYMATCHEDFET ■HIGHGAIN G1dB=6.0dBat13.75GHzto14.5GHz ■HERMETICALLYSEALEDPACKAGE ■LOWINTERMODULATIONDISTORTION IM3(Min.)=−25dBcatPo=36dBmSingleCarrierLevel	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA

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TIM1414-18L-252

文件：43.17 Kbytes

Page：4 Pages

MICROWAVE POWER GaAs FET

FEATURES ■HIGHPOWER P1dB=42.0dBmat13.75GHzto14.5GHz ■BROADBANDINTERNALLYMATCHEDFET ■HIGHGAIN G1dB=6.0dBat13.75GHzto14.5GHz ■HERMETICALLYSEALEDPACKAGE ■LOWINTERMODULATIONDISTORTION IM3(Min.)=−25dBcatPo=36dBmSingleCarrierLevel

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA

详细参数

型号：
TIM1414-18L-252
制造商：
Toshiba America Electronic Components
功能描述：
TRANSISTOR,GAAS FET INTERNALLY MATCHED, 14 GHZ,60W - Trays

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多TIM1414-18L-252供应商更新时间2024-5-25 14:26:00

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