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TIM4450-8UL	文件：144.94 Kbytes Page：4 Pages	HIGH POWER P1dB=39.5dBm at 4.4GHz to 5.0GHz	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
EIC4450-8	文件：165.07 Kbytes Page：4 Pages	4.40-5.00GHz8-WattInternallyMatchedPowerFET FEATURES •4.40–5.00GHzBandwidth •Input/OutputImpedanceMatchedto50Ohms •+39.5dBmOutputPowerat1dBCompression •10.5dBPowerGainat1dBCompression •35PowerAddedEfficiency •-46dBcIM3atPO=28.5dBmSCL •100TestedforDC,RF,andRTH	Excelics Excelics Semiconductor, Inc.	Excelics
EIC4450-8NH	文件：165.07 Kbytes Page：4 Pages	4.40-5.00GHz8-WattInternallyMatchedPowerFET FEATURES •4.40–5.00GHzBandwidth •Input/OutputImpedanceMatchedto50Ohms •+39.5dBmOutputPowerat1dBCompression •10.5dBPowerGainat1dBCompression •35PowerAddedEfficiency •-46dBcIM3atPO=28.5dBmSCL •100TestedforDC,RF,andRTH	Excelics Excelics Semiconductor, Inc.	Excelics
FLM4450-8F	文件：256.32 Kbytes Page：4 Pages	C-BandInternallyMatchedFET	EUDYNA Eudyna Devices Inc	EUDYNA
NEZ4450-8B	文件：240.12 Kbytes Page：6 Pages	C-BANDPOWERGAASMESFET DESCRIPTION TheNEZC-BandseriesofhighperformancemicrowavepowerGaAsMESFETsprovideshighgainandlowintermodulationdistortionoverstandardanddigitalcommunicationbandsfrom3to8GHz. FEATURES ●INTERNALLYMATCHED(IN/OUT) ●HIGHPout(4W,8W,&15W) ●CLASSAOPERATION	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NEZ4450-8BD	文件：240.12 Kbytes Page：6 Pages	C-BANDPOWERGAASMESFET DESCRIPTION TheNEZC-BandseriesofhighperformancemicrowavepowerGaAsMESFETsprovideshighgainandlowintermodulationdistortionoverstandardanddigitalcommunicationbandsfrom3to8GHz. FEATURES ●INTERNALLYMATCHED(IN/OUT) ●HIGHPout(4W,8W,&15W) ●CLASSAOPERATION	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NEZ4450-8D	文件：108.79 Kbytes Page：18 Pages	4W/8WC-BANDPOWERGaAsFETN-CHANNELGaAsMESFET DESCRIPTION TheNEZSeriesofmicrowavepowerGaAsFETsofferhighoutputpower,highgainandhighefficiencyatC-bandformicrowaveandsatellitecommunications.Internalinputandoutputcircuitsmatchedto50Ωare designedtoprovidegoodflatnessofgainandoutputpowerinallocated	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NEZ4450-8DD	文件：108.79 Kbytes Page：18 Pages	4W/8WC-BANDPOWERGaAsFETN-CHANNELGaAsMESFET DESCRIPTION TheNEZSeriesofmicrowavepowerGaAsFETsofferhighoutputpower,highgainandhighefficiencyatC-bandformicrowaveandsatellitecommunications.Internalinputandoutputcircuitsmatchedto50Ωare designedtoprovidegoodflatnessofgainandoutputpowerinallocated	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
TIM4450-8SL	文件：94.28 Kbytes Page：2 Pages	MICROWAVEPOWERGaAsFET	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

详细参数

型号：
TIM4450-8UL
制造商：
Toshiba America Electronic Components
制造商：
Toshiba America Electronic Components
功能描述：
TRANSISTOR, GAAS FET INTERNALLY MATCHED, 4GHZ, 37.5W - Trays
功能描述：
TRANSISTOR, GAAS FET INTERNALLY MATCHED, 4GHZ, 37.5W XICOM - Trays

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
千层芯半导体(深圳)有限公司	TIM4450-8UL	TOSHIBA	24+	SMD	1680	一级代理原装进口现货	询价
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更多TIM4450-8UL供应商更新时间2025-5-22 16:53:00

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