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TIM5964-30UL	文件：334.11 Kbytes Page：8 Pages	MICROWAVE POWER GaAs FET FEATURES ･BROADBANDINTERNALLYMATCHEDFET ･HIGHPOWER P1dB=45.0dBmat5.9GHzto6.4GHz ･HIGHGAIN G1dB=10.0dBat5.9GHzto6.4GHz ･LOWINTERMODULATIONDISTORTION IM3(MIN.)=-44dBcatPout=34dBm(SingleCarrierLevel) ･HERMETICALLYSEALEDPACKAGE	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
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TIM5964-30UL

文件：334.11 Kbytes

Page：8 Pages

MICROWAVE POWER GaAs FET

FEATURES ･BROADBANDINTERNALLYMATCHEDFET ･HIGHPOWER P1dB=45.0dBmat5.9GHzto6.4GHz ･HIGHGAIN G1dB=10.0dBat5.9GHzto6.4GHz ･LOWINTERMODULATIONDISTORTION IM3(MIN.)=-44dBcatPout=34dBm(SingleCarrierLevel) ･HERMETICALLYSEALEDPACKAGE

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

TIM5964-30SL

文件：172.06 Kbytes

Page：4 Pages

MICROWAVEPOWERGaAsFET

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

详细参数

型号：
TIM5964-30UL
制造商：
Toshiba America Electronic Components
功能描述：
TRANSISTOR,GAAS FET INTERNALLY MATCHED,6GHZ,115W - Trays

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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