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TIM5964-4SL-422	文件：388.56 Kbytes Page：4 Pages	MICROWAVE POWER GaAs FET FEATURES ･BROAD BAND INTERNALLY MATCHED FET ･HIGH POWER P1dB= 36.5dBm at 5.85GHz to 6.75GHz ･HIGH GAIN G1dB= 8.0dB(Min.) at 5.85GHz to 6.75GHz ･HERMETICALLY SEALED PACKAGE ･LOW INTERMODULATION DISTORTION IM3= -45dBc at Pout= 25.5dBm Single Carrier Level. 文件：388.56 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TIM7785-35SL	文件：0 bytes Page：0 Pages	TOSHIBA TO-59	TOSHIBA 东芝上传：深圳市赛芯源科技有限公司	TOSHIBA
TINY13A-SSUATTINY13A-SSU	文件：0 bytes Page：0 Pages	AT SOP8	AT 上传：深圳市三德芯源科技有限公司	AT
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TIP102	文件：0 bytes Page：0 Pages	ST T0220-3	ST 上传：深圳市美思瑞电子科技有限公司	ST

详细参数

型号：
TIM5964-4SL-422
制造商：
Toshiba America Electronic Components
功能描述：
TRANSISTOR,GAAS FET INTERNALLY MATCHED,6GHZ,23W - Trays

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