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TIM5964-4SL-422	文件：388.56 Kbytes Page：4 Pages	MICROWAVE POWER GaAs FET FEATURES ･BROADBANDINTERNALLYMATCHEDFET ･HIGHPOWER P1dB=36.5dBmat5.85GHzto6.75GHz ･HIGHGAIN G1dB=8.0dB(Min.)at5.85GHzto6.75GHz ･HERMETICALLYSEALEDPACKAGE ･LOWINTERMODULATIONDISTORTION IM3=-45dBcatPout=25.5dBm SingleCarrierLevel.	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

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TIM5964-4SL-422

文件：388.56 Kbytes

Page：4 Pages

MICROWAVE POWER GaAs FET

FEATURES ･BROADBANDINTERNALLYMATCHEDFET ･HIGHPOWER P1dB=36.5dBmat5.85GHzto6.75GHz ･HIGHGAIN G1dB=8.0dB(Min.)at5.85GHzto6.75GHz ･HERMETICALLYSEALEDPACKAGE ･LOWINTERMODULATIONDISTORTION IM3=-45dBcatPout=25.5dBm SingleCarrierLevel.

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

详细参数

型号：
TIM5964-4SL-422
制造商：
Toshiba America Electronic Components
功能描述：
TRANSISTOR,GAAS FET INTERNALLY MATCHED,6GHZ,23W - Trays

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更多TIM5964-4SL-422供应商更新时间2025-5-11 8:00:00

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