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TIM6472-8UL	文件：47.63 Kbytes Page：4 Pages	MICROWAVE POWER GaAs FET	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TIM6472-8UL_09	文件：145.1 Kbytes Page：4 Pages	HIGH POWER P1dB=39.5dBm at 6.4GHz to 7.2GHz	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
EIC6472-8	文件：169.77 Kbytes Page：4 Pages	6.40-7.20GHz8-WattInternally-MatchedPowerFET	Excelics Excelics Semiconductor, Inc.	Excelics
EIC6472-8NH	文件：169.77 Kbytes Page：4 Pages	6.40-7.20GHz8-WattInternally-MatchedPowerFET	Excelics Excelics Semiconductor, Inc.	Excelics
FLM6472-8F	文件：256.45 Kbytes Page：4 Pages	C-BandInternallyMatchedFET [Eudyna] DESCRIPTION TheFLM6472-8FisapowerGaAsFETthatisinternallymatchedforstandardcommunicationbandstoprovideoptimumpowerandgainina50ohmsystem. Eudyna’sstringentQualityAssuranceProgramassuresthehighestreliabilityandconsistentperformance. FEATURE	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
NEZ6472-8B	文件：240.12 Kbytes Page：6 Pages	C-BANDPOWERGAASMESFET DESCRIPTION TheNEZC-BandseriesofhighperformancemicrowavepowerGaAsMESFETsprovideshighgainandlowintermodulationdistortionoverstandardanddigitalcommunicationbandsfrom3to8GHz. FEATURES ●INTERNALLYMATCHED(IN/OUT) ●HIGHPout(4W,8W,&15W) ●CLASSAOPERATION	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NEZ6472-8BD	文件：240.12 Kbytes Page：6 Pages	C-BANDPOWERGAASMESFET DESCRIPTION TheNEZC-BandseriesofhighperformancemicrowavepowerGaAsMESFETsprovideshighgainandlowintermodulationdistortionoverstandardanddigitalcommunicationbandsfrom3to8GHz. FEATURES ●INTERNALLYMATCHED(IN/OUT) ●HIGHPout(4W,8W,&15W) ●CLASSAOPERATION	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NEZ6472-8D	文件：108.79 Kbytes Page：18 Pages	4W/8WC-BANDPOWERGaAsFETN-CHANNELGaAsMESFET DESCRIPTION TheNEZSeriesofmicrowavepowerGaAsFETsofferhighoutputpower,highgainandhighefficiencyatC-bandformicrowaveandsatellitecommunications.Internalinputandoutputcircuitsmatchedto50Ωare designedtoprovidegoodflatnessofgainandoutputpowerinallocated	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NEZ6472-8DD	文件：108.79 Kbytes Page：18 Pages	4W/8WC-BANDPOWERGaAsFETN-CHANNELGaAsMESFET DESCRIPTION TheNEZSeriesofmicrowavepowerGaAsFETsofferhighoutputpower,highgainandhighefficiencyatC-bandformicrowaveandsatellitecommunications.Internalinputandoutputcircuitsmatchedto50Ωare designedtoprovidegoodflatnessofgainandoutputpowerinallocated	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

详细参数

型号：
TIM6472-8UL
制造商：
Toshiba America Electronic Components
功能描述：
TRANSISTOR,GAAS FET INTERNALLY MATCHED, 6GHZ, 37.5W - Trays

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市粤骏腾电子科技有限公司	TIM6472-8UL	TOSHIBA/东芝	24+		85	现货供应	询价
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更多TIM6472-8UL供应商更新时间2025-5-9 16:59:00

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