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TIM4450-4UL	文件：70.5 Kbytes Page：4 Pages	MICROWAVE POWER GaAs FET	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TIM4450-4UL_06	文件：50.65 Kbytes Page：4 Pages	HIGH POWER P1dB=36.5dBm at 4.4GHz to 5.0GHz	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
EIC4450-4	文件：184.55 Kbytes Page：4 Pages	4.40-5.00GHz4-WattInternallyMatchedPowerFET FEATURES •4.40–5.00GHzBandwidth •Input/OutputImpedanceMatchedto50Ohms •+36.5dBmOutputPowerat1dBCompression •11.5dBPowerGainat1dBCompression •37PowerAddedEfficiency •-46dBcIM3atPO=25.5dBmSCL •100TestedforDC,RF,andRTH	Excelics Excelics Semiconductor, Inc.	Excelics
EIC4450-4NH	文件：184.55 Kbytes Page：4 Pages	4.40-5.00GHz4-WattInternallyMatchedPowerFET FEATURES •4.40–5.00GHzBandwidth •Input/OutputImpedanceMatchedto50Ohms •+36.5dBmOutputPowerat1dBCompression •11.5dBPowerGainat1dBCompression •37PowerAddedEfficiency •-46dBcIM3atPO=25.5dBmSCL •100TestedforDC,RF,andRTH	Excelics Excelics Semiconductor, Inc.	Excelics
EIM4450-4	文件：160.19 Kbytes Page：4 Pages	4.4-5.0GHzMulti-StagePowerAmplifier	Excelics Excelics Semiconductor, Inc.	Excelics
FLM4450-4F	文件：256.54 Kbytes Page：4 Pages	C-BandInternallyMatchedFET	EUDYNA Eudyna Devices Inc	EUDYNA
NEZ4450-4B	文件：240.12 Kbytes Page：6 Pages	C-BANDPOWERGAASMESFET DESCRIPTION TheNEZC-BandseriesofhighperformancemicrowavepowerGaAsMESFETsprovideshighgainandlowintermodulationdistortionoverstandardanddigitalcommunicationbandsfrom3to8GHz. FEATURES ●INTERNALLYMATCHED(IN/OUT) ●HIGHPout(4W,8W,&15W) ●CLASSAOPERATION	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NEZ4450-4BD	文件：240.12 Kbytes Page：6 Pages	C-BANDPOWERGAASMESFET DESCRIPTION TheNEZC-BandseriesofhighperformancemicrowavepowerGaAsMESFETsprovideshighgainandlowintermodulationdistortionoverstandardanddigitalcommunicationbandsfrom3to8GHz. FEATURES ●INTERNALLYMATCHED(IN/OUT) ●HIGHPout(4W,8W,&15W) ●CLASSAOPERATION	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NEZ4450-4D	文件：108.79 Kbytes Page：18 Pages	4W/8WC-BANDPOWERGaAsFETN-CHANNELGaAsMESFET DESCRIPTION TheNEZSeriesofmicrowavepowerGaAsFETsofferhighoutputpower,highgainandhighefficiencyatC-bandformicrowaveandsatellitecommunications.Internalinputandoutputcircuitsmatchedto50Ωare designedtoprovidegoodflatnessofgainandoutputpowerinallocated	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NEZ4450-4DD	文件：108.79 Kbytes Page：18 Pages	4W/8WC-BANDPOWERGaAsFETN-CHANNELGaAsMESFET DESCRIPTION TheNEZSeriesofmicrowavepowerGaAsFETsofferhighoutputpower,highgainandhighefficiencyatC-bandformicrowaveandsatellitecommunications.Internalinputandoutputcircuitsmatchedto50Ωare designedtoprovidegoodflatnessofgainandoutputpowerinallocated	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

详细参数

型号：
TIM4450-4UL
制造商：
Toshiba America Electronic Components
制造商：
Toshiba America Electronic Components
功能描述：
TRANSISTOR, GAAS FET, INTERNALLY MATCHED, 4GHZ, 23W - Trays

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多TIM4450-4UL供应商更新时间2025-5-28 17:02:00

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