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TIM0910-30L中文资料东芝数据手册PDF规格书

TIM0910-30L
厂商型号

TIM0910-30L

功能描述

MICROWAVE POWER GaAs FET

文件大小

270.28 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 Toshiba Semiconductor
企业简称

TOSHIBA东芝

中文名称

株式会社東芝官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-9-26 13:11:00

TIM0910-30L规格书详情

FEATURES

・BROAD BAND INTERNALLY MATCHED FET

・HIGH POWER

P1dB= 45.0dBm at 9.5GHz to 10.5GHz

・HIGH GAIN

G1dB= 7.0dB at 10.5GHz to 10.5GHz

・LOW INTERMODULATION DISTORTION

IM3= -25dBc (Min.) at Pout= 38dBm (Single Carrier Level)

・HERMETICALLY SEALED PACKAGE

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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