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TIM1414-10LA

MICROWAVE POWER GaAs FET

FEATURES ■LOWINTERMODULATIONDISTORTION IM3=-45dBcatPout=29.0dBm ■HIGHPOWERP1dB=40.5dBmat14.0GHzto14.5GHz ■HIGHGAING1dB=6.0dBat14.0GHzto14.5GHz ■BROADBANDINTERNALLYMATCHEDFET ■HERMETICALLYSEALEDPACKAGE

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TIM1414-10LA-252

HIGH POWER P1dB=39.5dBm at 13.75GHz to 14.5GHz

FEATURES HIGHPOWER P1dB=39.5dBmat13.75GHzto14.5GHz HIGHGAIN G1dB=5.5dBat13.75GHzto14.5GHz BROADBANDINTERNALLYMATCHEDFET HERMETICALLYSEALEDPACKAGE

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

详细参数

  • 型号:

    TIM1414-10LA

  • 制造商:

    TOSHIBA

  • 制造商全称:

    Toshiba Semiconductor

  • 功能描述:

    MICROWAVE POWER GaAs FET

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多TIM1414-10LA供应商 更新时间2022-6-12 10:12:00