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IXTP160N10T	文件：180.6 Kbytes Page：5 Pages	TrenchMVPowerMOSFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXTP160N10T	文件：295.07 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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IXTQ160N10T	文件：301.21 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
TMP160N10A	文件：912.63 Kbytes Page：7 Pages	100VN-ChannelTrenchMOSFET	WUMCWuxi Unigroup Microelectronics Company 紫光微无锡紫光微电子有限公司	WUMC
TSM160N10	文件：486.78 Kbytes Page：6 Pages	100VN-ChannelPowerMOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司	TSC
TSM160N10LCR	文件：308.54 Kbytes Page：6 Pages	Lowgatechargeforfastpowerswitching	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司	TSC
VSH160N10MS	文件：459.39 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel100V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •LowOn-Resistance •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCConverters,HighSpeedSwitching	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VSI160N10MS	文件：1.86795 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER

详细参数

型号：
T160N10
功能描述：
SCR模块 1KV 3.8KA
RoHS：
否
制造商：
Vishay Semiconductors
开启状态：
RMS
电流(It_RMS)：
260 A
不重复通态电流：
4000 A 最大转折电流
IBO：
4200 A 额定重复关闭状态电压
VDRM：
1.6 kV
关闭状态漏泄电流（在VDRM_IDRM下）：
20 mA
开启状态电压：
1.43 V 保持电流（Ih
最大工作温度：
+ 150 C
安装风格：
Chassis
封装/箱体：
INT-A-PAK

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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