首页>STH47N60DM6-2AG>规格书详情
STH47N60DM6-2AG中文资料汽车级N沟道600 V、70 mOhm典型值、36 A MDmesh DM6功率MOSFET，H2PAK-2封装数据手册ST规格书
STH47N60DM6-2AG规格书详情
描述 Description
This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh DM6 fast-recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviors available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
特性 Features
• AEC-Q101 qualified
• Fast-recovery body diode
• Lower RDS(on) per area vs previous generation
• Low gate charge, input capacitance and resistance
• 100% avalanche tested
• Extremely high dv/dt ruggedness
• Zener-protected
技术参数
- 制造商编号
：STH47N60DM6-2AG
- 生产厂家
：ST
- Package
：H2PAK-2
- Grade
：Automotive
- VDSS(V)
：600
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.08
- Drain Current (Dc)_max(A)
：36
- PTOT_max(W)
：250
- Qg_typ(nC)
：55
- Features
：Fast recovery diode
- Reverse Recovery Time_typ(ns)
：115
- Qrr_typ(nC)
：540
- Peak Reverse Current_nom(A)
：9.5
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
STH矽泰 |
20+ |
QFN |
19570 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
STH/深圳矽泰 |
03+ |
QFN-20 |
2469 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
STH矽泰 |
23+ |
QFN |
15000 |
全新原装现货,价格优势 |
询价 | ||
SST |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 | |||
STH |
23+ |
TSSOP16 |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | ||
STH |
07+ |
QFN |
6000 |
绝对原装自己现货 |
询价 | ||
STH矽泰 |
2450+ |
QFN |
8850 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 | ||
STH矽泰 |
25+ |
QFN |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
STH |
24+ |
SOP-16 |
50000 |
功放IC一级代理 |
询价 | ||
STH |
25+ |
QFN |
4500 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售! |
询价 |
