首页>STH47N60DM6-2AG>规格书详情
STH47N60DM6-2AG数据手册ST中文资料规格书
STH47N60DM6-2AG规格书详情
描述 Description
This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh DM6 fast-recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviors available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
特性 Features
• AEC-Q101 qualified
• Fast-recovery body diode
• Lower RDS(on) per area vs previous generation
• Low gate charge, input capacitance and resistance
• 100% avalanche tested
• Extremely high dv/dt ruggedness
• Zener-protected
技术参数
- 制造商编号
：STH47N60DM6-2AG
- 生产厂家
：ST
- Package
：H2PAK-2
- Grade
：Automotive
- VDSS(V)
：600
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.08
- Drain Current (Dc)_max(A)
：36
- PTOT_max(W)
：250
- Qg_typ(nC)
：55
- Features
：Fast recovery diode
- Reverse Recovery Time_typ(ns)
：115
- Qrr_typ(nC)
：540
- Peak Reverse Current_nom(A)
：9.5
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
STH矽泰 |
25+ |
QFN |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
STH矽泰 |
20+ |
QFN |
19570 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
STH矽泰 |
23+ |
QFN |
8678 |
原厂原装 |
询价 | ||
STH |
24+ |
QFN |
2679 |
原装优势!绝对公司现货!可长期供货! |
询价 | ||
STH/深圳矽泰 |
03+ |
QFN-20 |
2469 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
STH矽泰 |
2450+ |
QFN |
8850 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 | ||
ST |
23+ |
H2PAK-2 |
12500 |
ST系列在售,可接长单 |
询价 | ||
STH |
25+ |
QFN |
4500 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售! |
询价 | ||
STH矽泰 |
24+ |
QFN |
30000 |
房间原装现货特价热卖,有单详谈 |
询价 | ||
ST(意法半导体) |
24+ |
H2PAK-2 |
8498 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 |
