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STH320N4F6-6中文资料N沟道40 V、1.1 mOhm典型值、200 A STripFET F6功率MOSFET，H2PAK-6封装数据手册ST规格书
STH320N4F6-6规格书详情
描述 Description
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the STripFET™ F6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFETs exhibit very low RDS(on) in all packages.
特性 Features
• AEC-Q101 qualified
• Very low on-resistance
• Very low gate charge
• High avalanche ruggedness
• Low gate drive power loss
技术参数
- 制造商编号
：STH320N4F6-6
- 生产厂家
：ST
- Package
：H2PAK-6
- Grade
：Automotive
- VDSS(V)
：40
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.0013
- Drain Current (Dc)_max(A)
：200
- PTOT_max(W)
：340
- Qg_typ(nC)
：240
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
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ST/意法 |
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TO-263-7 |
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ST/意法半导体 |
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TO-263-7 |
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STM |
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ST/意法半导体 |
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TO-263-7 |
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ST/意法 |
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TO-263 |
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ST/意法半导体 |
24+ |
TO-263-7 |
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原装，正品 |
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ST |
23+ |
TO-263 |
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专业芯片配单原装正品假一罚十 |
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SST |
原厂封装 |
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ST |
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N/A |
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